KDS晶振,貼片晶振,DSX321SH晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
大真空晶振曲率半徑加工技術:石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術,主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設計可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計( a、球面的余弦磨量; b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標準的設計原則(曲率半徑公式的計算).
日本大真空株式會社,KDS石英晶振品牌實力見證未來,KDS集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有壓控振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補晶振的生產工廠,而天津KDS工廠是全球石英晶體生產最大量的工廠,自從1993年在天津投產以來,技術更新從未間斷.
KDS晶振規(guī)格 |
單位 |
石英晶振基本條件 |
|
標準頻率 |
f_nom |
12.00MHZ~50MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +150°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +125°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |

產品設計人員在設計振蕩回路的注意事項
1. 驅動能力
驅動能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2.
2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩.為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻.
3. 負載電容
如果振蕩電路中晶振的負載電容不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示.電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.
KDS晶振集團實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標.
致力于環(huán)境保護,包括預防污染.在KDS石英晶振晶體產品的規(guī)劃到制造、運行維修等整個過程中,努力提供環(huán)保型的產品和服務.在業(yè)務活動中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用.在積極公開有關環(huán)境的信息的同時,通過支持環(huán)?;顒?/span>,KDS晶振廣泛地為社會作貢獻.致力于保護生物多樣性和可持續(xù)利用.切實運行環(huán)境管理系統PDmCA(Plan-Do-multiple Check-Act),努力提高環(huán)境性能,不斷改善運用系統.
過去KDS集團已經針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.
KDS集團將:不論何時何地盡可能的進行源頭污染預防.為環(huán)境目標指標的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現對自然資源的保持.KDS晶振,貼片晶振,DSX321SH晶振