高利奇晶振,有源石英晶振,GXO-7506晶振,7050mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使OSC晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格參數(shù) |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
12-50MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.3 V to 5.0 V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |


1.操作
請勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
2.使用環(huán)境(溫度和濕度)
請?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
晶振/石英晶體諧振器
激勵(lì)功率
在晶振上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 。
負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加。
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容。
高利奇晶振,有源石英晶振,GXO-7506晶振
高利奇石英晶振公司認(rèn)真對待環(huán)境,管理環(huán)境管理系統(tǒng),并將其重新編碼到ISO14001.我們的環(huán)境政策,作為我們不斷改進(jìn)的動(dòng)力7050有源振蕩器的一部分,我們也鼓勵(lì)員工在生活的各個(gè)方面都意識(shí)到他們對環(huán)境的影響.
在我們的環(huán)境范圍允許的情況下,我們致力于防止污染.最低限度我們將確保遵守所有相關(guān)的環(huán)境法規(guī)和規(guī)章和內(nèi)部環(huán)境程序.在此之上,我們將不斷努力改善我們的環(huán)境性能.在選擇晶體晶振,低損耗有源晶體原材料供應(yīng)商和承包商時(shí)考慮環(huán)境因素,從而減少污染.進(jìn)一步減少污染,合理使用資源.減少使用和再利用,或者盡可能地回收利用.我們確保這一政策在我們的運(yùn)營過程中得到貫徹執(zhí)行.
高利奇石英晶振公司培訓(xùn)我們團(tuán)隊(duì)中的每一個(gè)成員,了解他們自己的工作對環(huán)境的影響,在可能選擇有或正在努力爭取的供應(yīng)商ISO14001的情況下.此外,我們還積極鼓勵(lì)我們的員工將他們耐高溫有源晶體工作生活中所獲得的環(huán)境意識(shí)應(yīng)用到他們自己的私人生活中.我們遵守ISO14001原則,努力實(shí)現(xiàn)完全的法規(guī)遵循.
高利奇晶振,有源石英晶振,GXO-7506晶振