高利奇晶振,HC49-4H晶振,HC49-3H晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計:石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單,第4項的設(shè)計很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導(dǎo)致第4項的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對電極的設(shè)計提出了更精準(zhǔn)的要求。
高利奇晶振規(guī)格 |
單位 |
HC49-4H & HC49-3H頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.2768~ 90.0MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
12pF ,16PF,18PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |

石英晶振頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍
這個問題的可能性相對較小。請確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式,由于放大電路的反饋大。當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問題可能會發(fā)生。為了解決這個問題,請采用三次泛音模式晶振。
5-2。此外,放大電路,第三色調(diào)模式設(shè)計不當(dāng)也可能導(dǎo)致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。
系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。
6-1。請參照資料2.也可以提高終端石英晶振電容解決方案,然后檢查波形幅度是否得到改善。
7-1。請確定使用頻譜分析儀機中斷信號的頻率。我們可以發(fā)現(xiàn)存在的問題是根據(jù)頻率什么。
7-2。如果是從電源的交流信號,請檢查電源和信號的兩個理由的狀態(tài)是否是浮動的。請改為浮動,如果它不是。
7-3。如果信號具有高頻率,請使用以下方法:使用晶振外殼為接地。采用水晶較小C0。
增加電路,鎘和CG的外部電容,并采用晶體具有較高的負載電容CL。
7-4。請檢查周圍電路和PCB布局,如果上面的方法都沒有能夠解決您的問題。如果兩者都正常,那么請你聯(lián)系IC制造商探討其芯片組設(shè)計的不明信號的反應(yīng)。改變周圍電路的設(shè)計只能緩解問題,而不是完全解決它。通常。這將是最好找出來的芯片組設(shè)計問題并解決它。高利奇晶振,HC49-4H晶振,HC49-3H晶振
高利奇石英晶振公司認真對待環(huán)境,管理環(huán)境管理系統(tǒng),并將其重新編碼到ISO14001.我們的環(huán)境政策,作為我們不斷改進的動力的一部分,我們也鼓勵員工在生活的各個方面都意識到他們對環(huán)境的影響.
在我們的環(huán)境范圍允許的情況下,我們致力于防止污染.最低限度我們將確保遵守所有相關(guān)的環(huán)境法規(guī)和規(guī)章和內(nèi)部環(huán)境程序.在此之上,我們將不斷努力改善我們的環(huán)境性能.
在選擇石英晶體諧振器,32.768K晶振原材料供應(yīng)商和承包商時考慮環(huán)境因素,從而減少污染.進一步減少污染,合理使用資源.減少使用和再利用,或者盡可能地回收利用.我們確保這一政策在我們的運營過程中得到貫徹執(zhí)行.
