Statek晶振,OSC晶振,SQXO-2AT晶振,SQXO-2晶振SQXO2ATHG晶振，貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定
項(xiàng)目
符號
SQXO-2AT規(guī)格說明
條件
輸出頻率范圍
f0
500 kHz to 120 MHz
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電源電壓
VCC
1.60 V to 3.63 V
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儲(chǔ)存溫度
T_stg
-55℃ to +125℃
裸存
工作溫度
T_use
G: -40℃ to +85℃
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H: -40℃ to +105℃
J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度
f_tol
J: ±50 × 10-6
L: ±100 × 10-6
T: ±150 × 10-6
功耗
ICC
3.5 mA Max.
無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流
I_std
3.3μA Max.
ST=GND
占空比
SYM
45 % to 55 %
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓
VOH
VCC-0.4V Min.
VOL
0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件
L_CMOS
15 pF Max.
輸入電壓
VIH
80% VCCMax.
ST終端
VIL
20 % VCCMax.
上升/下降時(shí)間
tr / tf
4 ns Max.
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間
t_str
3 ms Max.
t=0 at 90 %
頻率老化
f_aging
±3 × 10-6/ year Max.
+25 ℃, 初年度,第一年
|
項(xiàng)目 |
符號 |
SQXO-2規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
10 kHz to 2 MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
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H: -40℃to +105℃ |
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J: -40℃to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
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待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
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項(xiàng)目 |
符號 |
SQXO2ATHG規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
32.768 kHz to 50 MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
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H: -40℃to +105℃ |
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J: -40℃to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
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待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
DIP 產(chǎn)品
已變形的石英晶振引腳不能插入板孔中。請勿施加過大壓力,以免引腳變形。
（5）SOJ 產(chǎn)品和SOP 產(chǎn)品
請勿施加過大壓力,以免石英晶振引腳變形。已變形的石英晶振引腳焊接時(shí)會(huì)造成浮起。尤其是SOP產(chǎn)品需要更加小心處理。
9.4.超聲波清洗
（1）使用AT-切割晶體和聲表面濾波器（SAW）/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是,在某些條件下, 晶振特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫д窨赡苁艿狡茐摹?/span>
（3）請勿清洗開啟式晶振產(chǎn)品
（4）對于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。
（5）焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固。這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
10.操作
請勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面，Statek晶振,OSC晶振,SQXO-2AT晶振,SQXO-2晶振SQXO2ATHG晶振
Statek晶振環(huán)保理念
STATEK晶振公司的目標(biāo)是保證石英晶振,貼片晶振,晶體振蕩器,有源晶振產(chǎn)品繼續(xù)滿足客戶要求的同時(shí)對環(huán)境的影響降到最小,在生產(chǎn)過程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實(shí)現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進(jìn).
STATEK晶振承諾保護(hù)環(huán)境,重視員工、客戶和公眾的健康和安全.我們從事任何活動(dòng),都要以注重安全和環(huán)保方式,并考慮到生態(tài)系統(tǒng)的復(fù)雜性和相關(guān)性.
建立目標(biāo)指標(biāo)、監(jiān)測程序,利用最好的管理手段,應(yīng)用節(jié)約成本的技術(shù),持續(xù)改進(jìn)我們的環(huán)境表現(xiàn).我們承諾采取積極的、預(yù)防性的戰(zhàn)略管理來對自然環(huán)境和地方社區(qū)的影響最小化.
STATEK晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對策：實(shí)行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高能源利用效率,改善能源結(jié)構(gòu).運(yùn)用經(jīng)濟(jì)手段保護(hù)環(huán)境.大力推進(jìn)科技進(jìn)步,加強(qiáng)環(huán)境科學(xué)研究,積極發(fā)展環(huán)境保護(hù)產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強(qiáng)化環(huán)境管理.加強(qiáng)環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識
高利奇晶振,有源晶振,MCSO晶振
Connorwinfield晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,Tx193晶振,Tx214晶振
Statek晶振,有源晶振,CXOX晶振,CXOXHG晶振
Greenray晶振,恒溫晶體振蕩器,YH1320/1321晶振
SiTime晶振,可編程貼片晶振,SiT9103晶振,SiT9104晶振,SiT9105晶振
