SiTime晶振,耐高溫晶振,SiT2020B晶振,SiTime的MEMS諧振器不僅在我們銷售的每一種產(chǎn)品中都有,其他半導(dǎo)體公司在其SOCs中集成了SiTime的MEMS諧振器,以提供獨特的、高容量的解決方案,不需要外部時鐘.
SiTime產(chǎn)品可在各種操作溫度范圍內(nèi)使用.這些廣泛的溫度范圍,結(jié)合SiTime固有的健壯和高度可靠的設(shè)計,確保設(shè)備非常適合應(yīng)用程序環(huán)境,并以最低的成本可用.SiTime的高溫家庭提供了頻率、穩(wěn)定性和小包裝尺寸的最佳組合——這是普通石英貼片晶振,石英晶體供應(yīng)商無法提供的組合.
FlexEdgeTM Rise/Fall Time |
Yes |
Frequency |
1 to 110 MHz |
Frequency Stability (ppm) |
±20, ±25, ±50 |
Operating Temperature Range (°C) |
-55~+125 |
Oscillator Type |
XO-SE |
Output type |
LVCMOS |
Package Type |
SOT23(2.9x2.8) |
Phase Jitter |
1.3 ps請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com/ |
Features |
Field programmable, SOT23-5 |
Voltage Supply (V) |
1.8, 2.5 to 3.3 |
Availability |
Production |

如果由頻率計數(shù)器測量的頻率比目標(biāo)頻率高,要增加石英晶振的電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計不是調(diào)諧到最佳共振點為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后,諧振點的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,我們可以通過以下三種方法改進(jìn):
方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過晶體具有較低負(fù)載電容(CL)。
方法2:采用小電阻(RR)的晶體。
方法3:使用鎘和CG的不等價的設(shè)計。
我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本,保證安全。請用頻率計數(shù)器來測量所述晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格,請采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會偏差很大。
環(huán)保方針:
為開發(fā)高效的、對環(huán)境影響最小的運輸系統(tǒng)而工作
無論公司在世界何處,其經(jīng)營都應(yīng)保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
確保業(yè)務(wù)合作伙伴對環(huán)境問題同等關(guān)注
從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開發(fā)活動
以公開和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息
SiTime晶振集團將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護活動的質(zhì)量.
集團公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).
SITIME晶振環(huán)?;纠砟睿?/span>
在石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K晶振,時鐘晶體,壓電石英晶體系列產(chǎn)品開發(fā)和制造過程中使用對環(huán)境健康的、可回收利用的材料