石英晶振的切割設(shè)計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。
ECSXTAL晶振 |
單位 |
CSM-8M晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
6.000MHZ~100.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+70°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF~20pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。ECSXTAL晶振,貼片晶振,CSM-8M晶振
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
ECS晶振工廠、辦公室節(jié)能、省資源、資源循環(huán)、化學物質(zhì)的合理管理推動,地球溫暖化防止及循環(huán)型社會的實現(xiàn)貢獻。與采購單位、供應(yīng)商等的客戶合作,溫室效應(yīng)氣體削減,資源的有效利用,努力對晶振,石英晶振的化學物質(zhì)的管理強化等。
地域社會環(huán)境保全活動及生物多樣性保全活動的參加,環(huán)境関搭配等的信息積極的公開的事,與社會的交流的知識進一步加深協(xié)調(diào)進一步的協(xié)調(diào)。這個環(huán)境方針是根據(jù)文件等的全體職員以及共同工作的人們。
ECS晶振公司環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對策:實行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略。采取有效措施,防治工業(yè)污染。提高能源利用效率,改善能源結(jié)構(gòu)。運用經(jīng)濟手段保護環(huán)境。大力推進科技進步,加強環(huán)境科學研究,積極發(fā)展環(huán)境保護產(chǎn)業(yè)。健全環(huán)境法規(guī),強化環(huán)境管理。加強環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識。
減少能源消耗,開展資源節(jié)約、資源回收和適當?shù)幕瘜W管理工廠和辦公室,導致全球變暖的預防和循環(huán)型社會的建立.與供應(yīng)商和其他業(yè)務(wù)伙伴合作,減少溫室氣體的排放,有效利用資源,加強產(chǎn)品化學物質(zhì)管理.
嚴格遵守國家職業(yè)安全健康法律、法規(guī),培養(yǎng)員工的安全意識和能力,持續(xù)改進職業(yè)安全健康管理績效,預先采取安全措施,消除或降低危險,優(yōu)先選用安全系數(shù)高的材料、設(shè)備及工藝,提高事故預防水平,創(chuàng)造良好的工作環(huán)境,保障員工的身心健康。ECSXTAL晶振,貼片晶振,CSM-8M晶振