百利通亞陶晶振,有源晶振,FDQ-2.5V晶振,貼片晶振,Double Data Rate (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存是用于計(jì)算機(jī)的內(nèi)存等級(jí)。 Diodes 可為高可用性通訊與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(包括服務(wù)器、RAID 儲(chǔ)存裝置、工作站與刪除重復(fù)數(shù)據(jù)設(shè)備)以及醫(yī)療裝置與其他嵌入式系統(tǒng)的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供頻率及切換組件。Diodes公司生產(chǎn)設(shè)施已達(dá)到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 認(rèn)證的品質(zhì)獎(jiǎng)。Diodes 公司目前擁有 C-TPAT 認(rèn)證。
5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.375V,2.5V,2.625V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
石英晶振的研磨技術(shù):通過(guò)對(duì)晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨,使石英晶振的晶片達(dá)到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為:在壓電晶體行業(yè),生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個(gè)方面,通過(guò)理論與實(shí)際相結(jié)合,累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn),通過(guò)深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù),注重貼片晶振研磨過(guò)程的各種細(xì)節(jié),注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇;
亞陶晶振規(guī)格 |
單位 |
FDQ-2.5V晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
1~156.25MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
電壓電源 |
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2.375V,2.5V,2.625V |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20~±50× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±20~±50× 10-6/-40°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
15PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
一般來(lái)說(shuō),進(jìn)口OSC晶振微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組。(請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.百利通亞陶晶振,有源晶振,FDQ-2.5V晶振,貼片晶振
一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是石英貼片晶振阻力的至少五倍。它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說(shuō)明:
附:所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測(cè)定值。如果石英振蕩器的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL)。采用具有較低電阻(RR)的晶振。使用光盤(pán)和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。
臺(tái)灣百利通亞陶晶振科技以臺(tái)灣晶振同業(yè)中最先進(jìn)的技術(shù),提供信息及通訊產(chǎn)業(yè)最可靠高階SMD有源石英晶體,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 時(shí)鐘晶體,壓電石英晶振產(chǎn)品,來(lái)取代進(jìn)口晶振相關(guān)產(chǎn)品,以強(qiáng)化臺(tái)灣晶振信息暨通訊產(chǎn)業(yè)在全球之競(jìng)爭(zhēng)力.百利通亞陶晶振晶體承諾所有的運(yùn)作皆遵守本地國(guó)家的法律,并符合國(guó)際上所共同認(rèn)知環(huán)保與社會(huì)責(zé)任的標(biāo)準(zhǔn),成為一個(gè)創(chuàng)造股東最大權(quán)益、照顧員工、善盡社會(huì)責(zé)任的好公司.百利通亞陶晶振,有源晶振,FDQ-2.5V晶振,貼片晶振
臺(tái)灣亞陶晶振科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書(shū)面、辦法書(shū)之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含5032M溫補(bǔ)振蕩器在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述.本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù).
亞陶百利通晶振減少污染物排放,對(duì)筆記本電腦晶振不可再生的資源進(jìn)行有效利用。減少?gòu)U物的產(chǎn)生,對(duì)其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源。通過(guò)設(shè)計(jì)工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全。提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對(duì)環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營(yíng)現(xiàn)狀進(jìn)行糾正。