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高利奇晶振,石英晶體振蕩器,GXO-3301晶振,GXO-3306晶振

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

頻率：0.625 ~ 75.0MHz 尺寸：3.2*2.5mm 有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要..

產(chǎn)品詳情

1XQJX

GL-1

高利奇晶振,石英晶體振蕩器,GXO-3301晶振,GXO-3306晶振，具有最適合于移動(dòng)通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,體積：0.007 cm³,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對(duì)應(yīng)回流焊）無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

2GGCS

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	0.625 ~ 75.0MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.8 V to 3.3V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +100℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CCMax.	ST終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CCMax.	ST終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f0	20.0 ~ 50.0MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	VCC	1.8 V to 3.3V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃to +100℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCCMax.	ST終端
輸入電壓	VIL	20 % VCCMax.	ST終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

3CC

GL-3

GXO-3300

4ZYSX

超聲波清洗

（1）使用AT-切割晶體和聲表面濾波器波（SAW）/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是,在某些條件下, 晶振特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。

（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫д窨赡苁艿狡茐摹?/span>

（3）請(qǐng)勿清洗開啟式晶振產(chǎn)品

（4）對(duì)于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。

（5）焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固。這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB。

5HBFZ

GL-5

高利奇SMD晶振環(huán)保理念

高利奇石英晶振公司進(jìn)一步解放思想,學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)實(shí)踐,針對(duì)新形勢(shì)、新情況,抓好理念創(chuàng)新,促進(jìn)安全環(huán)保工作更加科學(xué)、更加有效.

高利奇石英晶振公司堅(jiān)持運(yùn)用,不斷完善,持續(xù)改進(jìn)壓電石英晶體元器件、晶振,石英晶振,壓電石英晶體、有源晶體生產(chǎn)技術(shù),更要針對(duì)新情況、新問題,不斷學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)經(jīng)驗(yàn),結(jié)合實(shí)際,及時(shí)改進(jìn)舊方法,勇于擯棄落后方法.