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1XQJX

GL-1

高利奇晶振,差分晶振,GXO-E31晶振,差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V,工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點(diǎn),

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)

2GGCS

GL-2

型號	符號	GXO-E31
輸出規(guī)格	-	LV-PECL
輸出頻率范圍	fo	40?250MHz
電源電壓	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10^-6max., ±100×10^-6max.
保存溫度范圍	T_stg	-40?+85℃
運(yùn)行溫度范圍	T_use	-10?+70℃ ,-40?+85℃
消耗電流	I_CC	45mA max. (fo≦170MHz)
待機(jī)時電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	50Ω to V_CC-2V
波形對稱	SYM	45?55% [at outputs cross point]
0電平電壓	V_OL	V_CC-1.81?V_CC-1.62V
1電平電壓	V_OH	V_CC-1.025?V_CC-0.88V
上升時間下降時間	tr, tf	0.5ns max. [20?80% Output, OutputN]
差分輸出電壓	V_OD1, V_OD2	-請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
差分輸出誤差	⊿V_OD	-
補(bǔ)償電壓	V_OS	-
補(bǔ)償電壓誤差	⊿V_OS	-
交叉點(diǎn)電壓	Vcr	-
OE端子0電平輸入電壓	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	V_IH	V_CC×0.7 min.
輸出禁用時間	tPLZ	200ns
輸出使能時間	tPZL	2ms
周期抖動（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖動	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]
包裝單位	-	2000pcs./reel（φ180）

GXO-E31

4ZYSX GL-4

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。

4：粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.高利奇晶振,差分晶振,GXO-E31晶振

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高利奇晶振環(huán)保理念

高利奇石英晶振公司進(jìn)一步解放思想,學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)實(shí)踐,針對新形勢、新情況,抓好理念創(chuàng)新,促進(jìn)安全環(huán)保工作更加科學(xué)、更加有效.

高利奇石英晶振公司堅(jiān)持運(yùn)用,不斷完善,持續(xù)改進(jìn)陶瓷晶振、晶振,石英晶振,溫補(bǔ)晶振、有源晶體生產(chǎn)技術(shù),更要針對新情況、新問題,不斷學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)經(jīng)驗(yàn),結(jié)合實(shí)際,及時改進(jìn)舊方法,勇于擯棄落后方法.