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GL-1

高利奇晶振,石英晶體振蕩器,GXO-U113晶振,GXO-U114晶振,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站

對于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會在 X 軸方向進行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠，點膠點點在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計：石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。

2GGCS

GL-2

項目	符號	GXO-U113規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1.8 ~ 50.0MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	3.3V.5.0V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CCMax.	ST終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CCMax.	ST終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

項目	符號	GXO-U114規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	30.0 ~ 70.0MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.8 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CCMax.	ST終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CCMax.	ST終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年