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NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SHB晶振

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產(chǎn)品簡介

小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

超小型貼片晶振,藍(lán)牙晶振,NZ2016SHB晶振

NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SHB晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——溫補(bǔ)晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。

超小型貼片晶振,藍(lán)牙晶振,NZ2016SHB晶振

項(xiàng)目

符號

規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

32.768KHZ

請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.60 V to 3.63 V

請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲存溫度

T_stg

-55to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40to +85

請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com

H: -40to +105

J: -40to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

輸入電壓

VIH

80% VCCMax.

ST終端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

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請測量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器石英晶振的兩個(gè)端子的信號,如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi),它的輸出波形的幅度是不夠的(例如超過+/-200ppm的),請按照步驟2-3步驟2-5。超小型貼片晶振,藍(lán)牙晶振,NZ2016SHB晶振

The formula for Capacitances versus Frequency is as following:

該公式的電容與頻率是如下:

FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where

該曲線代表電容變化與頻率變化(頻率pullability)變化的變化:

如果由頻率計(jì)數(shù)器測量的頻率比目標(biāo)頻率高,要增加貼片晶振的電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后,諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,我們可以通過以下三種方法改進(jìn):

方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過晶體具有較低負(fù)載電容(CL)。

方法2:采用小電阻(RR)的晶體。超小型貼片晶振,藍(lán)牙晶振,NZ2016SHB晶振

方法3:使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。

我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本,保證安全。請用頻率計(jì)數(shù)器來測量所述晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格,請采用石英晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會偏差很大。

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日本電波工業(yè)株式已經(jīng)建立和正在推動(dòng)一項(xiàng)中期計(jì)劃的具體減排目標(biāo),以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因。它也有助于減少(抑制)CO2排放量,通過使用最先進(jìn)的技術(shù),實(shí)現(xiàn)最小化,以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗,以支持社會的需要。

日本電波工業(yè)株式NDK晶振的新概念的手機(jī)貼片晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器器件。通過貼片晶振,石英晶振等產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻(xiàn)和環(huán)境績效的舉措。制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻(xiàn)—通過制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—32.768K四腳貼片晶振這些是倡議的支柱。

制造業(yè)-環(huán)保生產(chǎn)—我們將介紹一些情況下,發(fā)現(xiàn)CO2排放量的產(chǎn)品生命周期使用環(huán)境LCA方法。超小型貼片晶振,藍(lán)牙晶振,NZ2016SHB晶振

日本電波工業(yè)株式NDK晶振所說的LCA指的是“生命周期評估”,它包括評估產(chǎn)品的壽命。在這里,產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的制造階段,而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開采階段,包括石英晶體,NDK32.768K有源晶振,差分晶振,有源晶振產(chǎn)品的制造階段,銷售階段,包括到產(chǎn)品交付給用戶使用的階段,包括產(chǎn)品使用由用戶和維修/維護(hù)參與它,和處置階段,通過用戶廢棄產(chǎn)品回收,回收或處置。在ISO14000系列環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)中也建立了國際標(biāo)準(zhǔn)。NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SHB晶振

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