高利奇晶振,有源晶振,SCOCXOH晶振,SCOCXOWS晶振,SCOCXOWT晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果
項(xiàng)目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
1.2 MHz to 75 MHz |
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
項(xiàng)目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
1.2 MHz to 75 MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |


石英晶振頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍
這個(gè)問題的可能性相對較小。請確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式,由于放大電路的反饋大。當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問題可能會發(fā)生。為了解決這個(gè)問題,請采用三次泛音模式晶振。
5-2。此外,放大電路,第三色調(diào)模式設(shè)計(jì)不當(dāng)也可能導(dǎo)致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。
系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。
6-1。請參照資料2.也可以提高終端石英晶振電容解決方案,然后檢查波形幅度是否得到改善。
7-2。如果是從電源的交流信號,請檢查電源和信號的兩個(gè)理由的狀態(tài)是否是浮動的。請改為浮動,如果它不是。
7-3。如果信號具有高頻率,請使用以下方法:使用晶振外殼為接地。采用水晶較小C0。
增加電路,鎘和CG的外部電容,并采用晶體具有較高的負(fù)載電容CL。
7-4。請檢查周圍電路和PCB布局,如果上面的方法都沒有能夠解決您的問題。如果兩者都正常,那么請你聯(lián)系IC制造商探討其芯片組設(shè)計(jì)的不明信號的反應(yīng)。改變周圍電路的設(shè)計(jì)只能緩解問題,而不是完全解決它。通常。這將是最好找出來的芯片組設(shè)計(jì)問題并解決它
高利奇晶振環(huán)保理念
高利奇石英晶振公司通過BSI質(zhì)量保證,獲得了ISO 9001:2015的認(rèn)證.BSI是世界領(lǐng)先的認(rèn)證機(jī)構(gòu)之一.自我們于1996年在ISO 9002 - 1994的原始認(rèn)證以來,每一項(xiàng)評估都顯示出一份清潔的健康法案,沒有不一致的情況.
作為世界領(lǐng)先的SMD晶振,貼片晶振, 石英晶體諧振器,石英晶體供應(yīng)商,高利奇晶振公司敏銳地意識到我們的責(zé)任,確保我們的產(chǎn)品不受有害物質(zhì)和高度關(guān)注的物質(zhì)的影響,而且所有的部件材料都是由無沖突地區(qū)負(fù)責(zé)的.
高利奇石英晶振公司認(rèn)真對待環(huán)境,管理環(huán)境管理系統(tǒng),并將其重新編碼到ISO14001.我們的環(huán)境政策,作為我們不斷改進(jìn)的動力的一部分,我們也鼓勵(lì)員工在生活的各個(gè)方面都意識到他們對環(huán)境的影響.