希華晶振,壓控晶振,VCX91晶振,SMD有源晶振,希華晶體產(chǎn)品應(yīng)用范圍包含行動(dòng)電話、平板電腦、衛(wèi)星通訊、車載系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)、個(gè)人電腦、無線通信及家用產(chǎn)品等,扮演基本信號(hào)源產(chǎn)生、傳遞、濾波等功能。持續(xù)致力于技術(shù)研究開發(fā)及品質(zhì)落實(shí)扎根,營運(yùn)據(jù)點(diǎn)遍布臺(tái)灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務(wù)予世界電子大廠。
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。
希華晶振規(guī)格 |
單位 |
VCX91晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
1.5~54MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
電源電壓 |
Vdd |
3.3V |
|
頻率穩(wěn)定度 |
f_— l |
±30,±50× 10-6 |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30,±50× 10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
15PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
輸出電平 |
Load |
CMOS |
|
頻率老化 |
f_age |
±1 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高,要增加石英貼片晶振的電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后,諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,我們可以通過以下三種方法改進(jìn):方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過晶體具有較低負(fù)載電容(CL)。方法2:采用小電阻(RR)的晶體。方法3:使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。希華晶振,壓控晶振,VCX91晶振,SMD有源晶振
我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。為保證安全請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來測(cè)量所述晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格,請(qǐng)采用石英晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會(huì)偏差很大。
我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個(gè)方法:調(diào)整外部電容,Cd和CG的值。如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL(或Cd以及C 8的值),以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然??梢圆捎貌煌?fù)載電容(CL)的有源進(jìn)口晶振試用。 試用晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。請(qǐng)檢查波形幅度是否是正?;虿皇褂檬静ㄆ?,正確的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的晶體)的情況。頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。
希華晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低7050壓控晶振環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時(shí)也能達(dá)到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。希華晶振,壓控晶振,VCX91晶振,SMD有源晶振
勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國及企業(yè)關(guān)注焦點(diǎn),金屬面晶振如何做到‘降低職業(yè)災(zāi)害發(fā)生、確保工作場(chǎng)所安全、實(shí)施員工健康管理’一直是希華晶體努力的方向,公司于2008年12月通過OHSAS18001職業(yè)安全衛(wèi)生管理系統(tǒng)驗(yàn)證,提供勞工符合系統(tǒng)要求的安全衛(wèi)生工作環(huán)境。廢水處理設(shè)施采廢水分流處理,提升處理效率,并設(shè)置監(jiān)測(cè)儀器;定期抽測(cè)放流水質(zhì),確保放流水水質(zhì)各項(xiàng)污染物濃度低于法規(guī)限值標(biāo)準(zhǔn)。
為落實(shí)安全管理,降低7050mm振蕩器職災(zāi)發(fā)生風(fēng)險(xiǎn),制定“勞工安全衛(wèi)生管理規(guī)章”、“勞工安全衛(wèi)生管理計(jì)劃”,依規(guī)章內(nèi)容實(shí)施全廠自動(dòng)檢查、辦理勞工安全衛(wèi)生教育訓(xùn)練、進(jìn)行全廠安全衛(wèi)生巡檢。每年進(jìn)行環(huán)境考量面與危害鑒別、風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估作業(yè),研擬降低風(fēng)險(xiǎn)危害對(duì)策,若發(fā)生危險(xiǎn)事件或?yàn)?zāi)害事故,則展開矯正預(yù)防措施進(jìn)行檢討、改善,達(dá)到確保員工作業(yè)安全,以達(dá)降低風(fēng)險(xiǎn)為目標(biāo),創(chuàng)造零災(zāi)害、零事故之安全職廠。