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低抖動TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V，愛普生晶振型號 TG5032CGN，產(chǎn)品編碼：X1G0052310004，產(chǎn)品型號：TG5032CGN 20.000000MHz CAGHDA，是一款小體積晶振尺寸5.0x3.2x1.45mm小尺寸包（10墊），TCXO晶振，石英晶振，溫補(bǔ)晶體振蕩器，特點(diǎn)：超高穩(wěn)定性（< 0.1 x 10-6），低相位噪聲，頻率范圍：10MHz到40MHz，輸出：CMOS，低抖動晶振，電源電壓： 2.375至3.63V，無鉛，符合歐盟RoHS的指令。該產(chǎn)品是CMOS的超高穩(wěn)定溫度補(bǔ)償晶體振蕩器和利用晶體單元的基本振蕩器進(jìn)行的裁剪正弦波輸出。這實(shí)現(xiàn)了頻率為10~40MHz的低相位噪聲，適用于包括小電池在內(nèi)的參考時鐘。這使得該產(chǎn)品符合各種標(biāo)準(zhǔn)，包括GR-1244-CORE層3、G.8262.1、G.8273.2（A、B類）。

低抖動TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V，參數(shù)圖

項目	符號	TG5032CGN (CMOS)		TG5032SGN (Clipped sine wave)		條件
		VC-TCXO	TCXO	VC-TCXO	TCXO
輸出頻率范圍	f0	10 MHz ~ 40 MHz
		10, 12.8, 19.2, 20, 24.576, 25, 25.6, 26, 30.72, 32, 38.4, 40 MHz				標(biāo)準(zhǔn)頻率
電源電壓	VCC	C: 3.3 V± 5% (電源電壓范圍: 2.375 V ~ 3.63 V)
儲存溫度范圍	T_stg	-40 ºC ~ +90 ºC				裸存
工作溫度范圍	T_use	G: -40 ºC ~ +85 ºC
a)頻率初期公差	f_tol	±1.0 × 10-6Max.				在回流焊后, +25°C
b)頻率溫度特征	f0-TC	A: ±0.1 × 10-6 Max. / G: -40 ºC ~ +85 ºC M: ±0.14 × 10-6 Max. / G: -40 ºC ~ +85 ºC B: ±0.28 × 10-6 Max. / G: -40 ºC ~ +85 ºC				頻率(fmax+fmin)/2基準(zhǔn)
c)頻率負(fù)載變動特征	f0-Load	±0.1 ×10-6 Max.				Load ±10 %
d)頻率電源電壓特征	f0-VCC	±0.1 ×10-6 Max.				VCC ±5 %
e)頻率老化	f_age	±0.5 ×10-6 Max.				+25 °C,第一年
		±3.0 ×10-6 Max.				+25 °C , 20年
Holdover stability	―	±0.01 × 10-6 Max.( +25 °C , 24時間)				工作開始10日后基準(zhǔn)
(溫度固定)		±0.04 × 10-6 Max.( +25 °C , 24時間)				工作開始48時間后基準(zhǔn)
Free-run accuracy	―	±4.6 × 10-6 Max.				這包括項目a), b), c), d), e).
功耗	ICC	5.0 mA Max.		5.0 mA Max.		10 MHz≦f0≦26 MHz
		6.0 mA Max.				26 MHz＜f0≦40 MHz
輸入電阻	Rin	100 kΩ Min.	―	100 kΩ Min.	―	VC- GND (DC)
頻率控制范圍	f_cont	±5 ×10-6 ~ ±10 ×10-6	―	±5 ×10-6 ~ ±10 ×10-6	―	D,J :VC=1.5 V ± 1.0 V (VCC=3.3 V) E,K: VC=1.65 V ± 1.0 V (VCC=3.3 V)
頻率變化極	―	正極	―	正極	―
占空比	SYM	45 % ~ 55 %		―		50 % VCC極, L_CMOS£15 pF
輸出電壓	VOH	90 % Vcc Min.		―
	VOL	10 % Vcc Max.		―
輸出電壓極	Vpp	―		0.8 V Min.		峰-峰值
上升/下降時間	tr/ tf	8.0 ns Max.		―		10 % VCC ~ 90 % VCC極,負(fù)載:15 pF
振蕩啟動時間	t_str	5.0 ms Max.(Non-Filter:標(biāo)準(zhǔn)) / 2.0 sec. Max.(Filter:選擇)				在90 %VCC時，所需時間為0秒
輸出負(fù)載	Load	15 pF		10 kΩ//10 pF
輸入電壓	VIH	70% VCC Min.				OE終端(啟用電壓)
	VIL	30% VCC Max.				OE終端(禁用電壓)

低抖動TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V，尺寸圖

低抖動TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V

TG5032CGN溫補(bǔ)晶振特征：

頻率范圍：10MHz至40MHz
輸出波形：CMOS有源晶振
電源電壓：3.3V類型。
頻率/溫度特性：±0.1×10-6最大值（-40°C至+85°C）
頻率老化：±3.0×10-6最大/20年
外部尺寸：5.0×3.2×1.45mm（10個墊子）
超高穩(wěn)定性，寬溫度范圍
應(yīng)用：小型蜂窩、Stratum3、SyncE、IEEE1588，網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)等

石英晶振廠家	型號	頻率	尺寸	輸出波形	電壓
X1G0052310004	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310005	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310009	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310010	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310011	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310012	TG5032CGN	12.800000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310013	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310015	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310016	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310017	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310019	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310020	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310023	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310025	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310026	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310027	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310028	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310029	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310030	TG5032CGN貼片晶振	38.880000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310031	TG5032CGN	38.880000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310032	TG5032CGN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	2.700 to 3.000 V
X1G0052310033	TG5032CGN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310034	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310035	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310036	TG5032CGN	19.440000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310037	TG5032CGN	30.720000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310039	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310041	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310042	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310043	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310044	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310046	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310047	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310048	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	2.375 to 2.625 V
X1G0052310049	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V
X1G0052310050	TG5032CGN	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V