IDT晶振,石英晶體振蕩器,XUN晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)
型號 |
符號 |
XUN |
輸出規(guī)格 |
- |
HCSL |
輸出頻率范圍 |
fo |
0.016?670MHz |
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40?+85℃ |
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10?+70℃ ,-40?+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
30mA max. (fo≦170MHz), |
待機(jī)時電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負(fù)載 |
Load-R |
50Ω |
波形對稱 |
SYM |
45?55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
-0.15?0.15V |
1電平電壓 |
VOH |
0.58?0.85V |
上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.5ns max. [0.175?0.525V Level] |
差分輸出電壓 |
⊿VOD1, VOD2 |
- |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
- |
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
- |
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
- |
交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
250?550mV |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |


自動安裝時的沖擊:
石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個封裝類型的注意事項
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
(2)陶瓷封裝貼片晶振
在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時,請勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。


IDT 晶振集團(tuán)采用系統(tǒng)的方法來解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響
開發(fā)和銷售擁有最有利的環(huán)境特性同時又滿足最高可能功效標(biāo)準(zhǔn)的石英晶振,貼片晶振,
采用對環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝
在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶體振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對環(huán)境健康的、可回收利用的材料
為開發(fā)高效的、對環(huán)境影響最小的運(yùn)輸系統(tǒng)而工作
無論公司在世界何處,其經(jīng)營都應(yīng)保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
確保業(yè)務(wù)合作伙伴對環(huán)境問題同等關(guān)注
從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開發(fā)活動
以公開和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息,IDT晶振,石英晶體振蕩器,XUN晶振