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IDT晶振,石英晶體振蕩器,XUN晶振

IDT晶振,石英晶體振蕩器,XUN晶振IDT晶振,石英晶體振蕩器,XUN晶振

產(chǎn)品簡介

頻率:0.016MHz to 670MHz  尺寸:7.0*5.0mm  體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn)

產(chǎn)品詳情

1XQJXIDT-1

IDT晶振,石英晶體振蕩器,XUN晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型ICTSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)2GGCSIDT-2

型號

符號

XUN

輸出規(guī)格

-

HCSL

輸出頻率范圍

fo

0.016?670MHz

電源電壓

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

頻率公差
(含常溫偏差)

f_tol

±50×10-6max., ±100×10-6max.

保存溫度范圍

T_stg

-40?+85

運(yùn)行溫度范圍

T_use

-10?+70 ,-40?+85

消耗電流

ICC

30mA max. (fo170MHz),

待機(jī)時電流(#1引腳"L"

I_std

10μA max.

輸出負(fù)載

Load-R

50Ω

波形對稱

SYM

45?55% [at outputs cross point]

0電平電壓

VOL

-0.15?0.15V

1電平電壓

VOH

0.58?0.85V

上升時間 下降時間

tr, tf

0.5ns max. [0.175?0.525V Level]

差分輸出電壓

VOD1, VOD2

-

差分輸出誤差

VOD

-

補(bǔ)償電壓

VOS

-

補(bǔ)償電壓誤差

VOS

-

交叉點(diǎn)電壓

Vcr

250?550mV

OE端子0電平輸入電壓

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1電平輸入電壓

VIH

VCC×0.7 min.

輸出禁用時間

tPLZ

200ns

輸出使能時間

tPZL

2ms

周期抖動(1

tRMS

5ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 22ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (Peak to peak)

總抖動(1

tTL

50ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 35ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)]

相位抖動

tpj

1.5ps max. (13.5MHzfo<27MHz) / 1ps max. (27MHzfo<212.5MHz)
[13.5MHz
fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

3CCIDT-3

XUN 5032 HCSL4ZYSXIDT-4自動安裝時的沖擊:

石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

每個封裝類型的注意事項

陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品

在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。

陶瓷包裝石英晶振

在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。

2)陶瓷封裝貼片晶振
在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。

3)柱面式產(chǎn)品
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時,請勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。5HBFZ
IDT-5

IDT 晶振集團(tuán)采用系統(tǒng)的方法來解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響

開發(fā)和銷售擁有最有利的環(huán)境特性同時又滿足最高可能功效標(biāo)準(zhǔn)的石英晶振,貼片晶振,

采用對環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝

在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶體振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對環(huán)境健康的、可回收利用的材料

為開發(fā)高效的、對環(huán)境影響最小的運(yùn)輸系統(tǒng)而工作

無論公司在世界何處,其經(jīng)營都應(yīng)保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)

確保業(yè)務(wù)合作伙伴對環(huán)境問題同等關(guān)注

從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開發(fā)活動

以公開和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息,IDT晶振,石英晶體振蕩器,XUN晶振6LXFSIDT-6

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