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IDT晶振,LVPECL輸出晶振,8N3DV85晶振

產(chǎn)品簡介

頻率：15.476MHz to 866.67MHz ，975MHz to 1,300MHz 尺寸：7.0*5.0mm 差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”電源電壓做到2.5V-3.3V之間

產(chǎn)品詳情

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IDT晶振,LVPECL輸出晶振,8N3DV85晶振，差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的

石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。 2GGCS IDT-2

型號		8N3DV85 (LVPECL)
輸出頻率范圍		15.476MHz to 866.67MHz ， 975MHz to 1,300MHz
電源電壓范圍		2.5 to 3.3V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機(jī)時電流		-請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負(fù)載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6max./-30?+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6max./-40?+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6max.（V_CC±5%）
	負(fù)載變化特性	±0.2×10^-6max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

8N3DV85 7050 VCXO LVPECL 4ZYSX IDT-4

晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時注意事項(xiàng)

耐焊性：

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品

晶振產(chǎn)品類型	晶振焊接條件
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下比如：橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件	手工焊接+300°C或低于3秒鐘請勿加熱封裝材料超過+150°C
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230°	+260°C或低于@最大值 10 s 請勿加熱封裝材料超過+150°C

(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖

用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。IDT晶振,LVPECL輸出晶振,8N3DV85晶振

IDT 晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動的質(zhì)量.

IDT晶振集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).

IDT 晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.

IDT晶振集團(tuán)盡可能的采用無害的石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用. 6LXFS IDT-6