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IDT晶振,LVDS晶振,8N4DV85晶振

產(chǎn)品簡介

頻率：15.476MHz to 866.67MHz ，975MHz to 1,300MHz 尺寸：7.0*5.0mm 差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,

產(chǎn)品詳情

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IDT晶振,LVDS晶振,8N4DV85晶振，小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi) 2GGCS IDT-2

型號		8N4DV85(VCXO)
輸出頻率范圍		15.476MHz to 866.67MHz ， 975MHz to 1,300MHz
電源電壓范圍		2.5 to 3.3V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機(jī)時電流		-請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負(fù)載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6max./-30?+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6max./-40?+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6max.（V_CC±5%）
	負(fù)載變化特性	±0.2×10^-6max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

8N4DV85 7050 VCXO LVDS 4ZYSX IDT-4

PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)

(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。

(2) 在設(shè)計(jì)時請參考相應(yīng)的推薦封裝。

(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。

(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。

存儲事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。

(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。IDT晶振,LVDS輸出晶振,8N4DV85晶振 5HBFZ

IDT 晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動的質(zhì)量.

集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).

IDT 晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.

IDT晶振集團(tuán)盡可能的采用無害的石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用. 6LXFS IDT-6