微晶晶振,進(jìn)口晶振,CC8V-T1A晶振,微晶,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產(chǎn)品.而今,微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊、晶振和OCXO晶體振蕩器,有源晶振等多個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)供貨商,為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的全方位支持,服務(wù)范圍涵蓋手機(jī)、計(jì)算機(jī)、汽車電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品.
微晶在瑞士、泰國(guó)建有石英晶振,石英晶體振蕩器生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處.我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證,并達(dá)到RoHS,REACh等規(guī)范的要求.全球約550個(gè)員工的責(zé)任感和奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石.
微晶晶振規(guī)格 |
單位 |
微晶晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
石英晶體諧振器高精度晶片的切割技術(shù):
AT 切型晶振的晶片厚度為:t= 1670*n/ f 0
BT 切型石英晶振的晶片厚度為:t= 2560*n/ f 0
t: 晶振晶片厚度(mm) f 0 : 晶片標(biāo)稱頻率(KHz) n: 泛音次數(shù)
2.6、晶振的腐蝕技術(shù):用酸液腐蝕掉因研磨而產(chǎn)生的破壞層,消除晶片內(nèi)應(yīng)力,同時(shí)使石英晶振的晶片達(dá)到更準(zhǔn)確的目標(biāo)值.腐蝕頻率=(1000*(F/N)+(F 2 /N 2 )*PB)*N
F:石英晶振的標(biāo)稱頻率. 如 14.318180 MHz,18.432000 MHz, 20.000000 MHz.
N: 振動(dòng)模式 Fund N=1、 3Rd N=3
PB:貼片晶振腐蝕反饋系數(shù).一般在 0.5—1.5 之間.頻率低系數(shù)大,頻率高系數(shù)小.
2.7、石英晶振的清洗:清洗掉石英晶振晶片表面的酸液和其它雜質(zhì).以被用于制造石英晶體諧振器和石英晶體振蕩器.
2.8、分檔測(cè)試:石英晶振晶片經(jīng)過(guò)上述工序后,進(jìn)行分檔測(cè)試.剔除不良品.
2.8.1、RI 不良:不是此規(guī)格的石英晶振晶片、碎片、CI 非常大的晶片.
2.8.2、CI 不良:相對(duì)阻抗較大的晶振晶片.
2.8.1、±NG 不良:頻率超出分檔頻率范圍的貼片晶振晶片.
2.8.1、SPNG 不良:有寄生的晶振晶片.左寄生要求衰減 8dB 以上,右寄生要求衰減 3dB 以上.
2.8.1、RIPL 不良:寄生點(diǎn)數(shù)較多的石英晶振晶片,通常規(guī)定在一定頻段內(nèi),寄生點(diǎn)數(shù)應(yīng)小于 10個(gè).
2.9、主要參數(shù):振動(dòng)模式、標(biāo)稱頻率、白片頻率(腐蝕頻率)、直徑、長(zhǎng)度、寬度、切割角度、
石英晶振的切型.采用高速線切割技術(shù):1.優(yōu)化及嚴(yán)格規(guī)范線切割機(jī)各項(xiàng)設(shè)備參數(shù);2.通過(guò)試驗(yàn)精選所使用的各類線切割料,如:磨料、線切割線、槽輪等;3.確認(rèn)最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù).通過(guò)以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了石英晶振晶片的精度,提高了生產(chǎn)效率.
瑞士微晶貼片晶振減少污染物排放,對(duì)不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少?gòu)U物的產(chǎn)生,對(duì)其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過(guò)設(shè)計(jì)工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對(duì)環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營(yíng)現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.
微晶環(huán)?;纠砟睿?/span>
1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國(guó)內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.
3.有效利用石英晶體,貼片晶振材料資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行石英晶振,有源晶體振蕩器,水晶振蕩子等原材料的有效利用.
4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于減少?gòu)U棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).
5.推進(jìn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓電石英晶體、壓控振蕩子,有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.微晶晶振,進(jìn)口晶振,CC8V-T1A晶振