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KDS-1

KDS晶振,石英晶振,DSX530GA晶振,DSX530GK晶振,5032封裝石英貼片晶振分為四個焊接腳和兩個焊接腳，兩個焊接腳的陶瓷面封裝晶振歸類于我們前面介紹晶振的文章中所說過的壓電石英晶體諧振器。在不同環(huán)境下的多功能產(chǎn)品中具有高可靠性特點，不含鉛汞符合歐盟要求的環(huán)保要求。

KDS石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

日本大真空株式會社,KDS晶振品牌實力見證未來,KDS集團(tuán)總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有壓控振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768KHz鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振的生產(chǎn)工廠,而天津KDS工廠是全球石英晶體生產(chǎn)最大量的工廠,自從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術(shù)更新從未間斷.

可靠的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,,我們將幫助實現(xiàn)一個富裕的社會,通過優(yōu)化我們的能力,開發(fā)最好的產(chǎn)品和服務(wù),并提供給我們所有的客戶在世界各地.可靠的公司,我們努力履行我們的企業(yè)社會責(zé)任,通過持續(xù)的利潤,通過企業(yè)活動,遵守所有的法律法規(guī),尊重他們的精神,注重與全球環(huán)境的和諧.

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KDS-2

KDS晶振規(guī)格	單位	DSX530GA晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	7MHZ~54MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.ljbzc.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

KDS晶振規(guī)格	單位	汽車級DSX530GA晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	7MHZ~54MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +150°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.ljbzc.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

KDS晶振規(guī)格	單位	DSX530GK晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8MHZ~54MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.ljbzc.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

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KDS-4

KDS石英晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時注意事項

耐焊性：

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品

晶振產(chǎn)品類型	晶振焊接條件
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下比如：橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件	手工焊接+300°C或低于3秒鐘請勿加熱封裝材料超過+150°C
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230°	+260°C或低于@最大值 10 s 請勿加熱封裝材料超過+150°C

(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖

用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷.請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息.

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盡可能使溫度變化曲線保持平滑：

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KDS-5

KDS集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時,努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意.

日本株式會社大真空KDS晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.

消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少KDS石英晶振,壓電水晶,無源晶振,壓控溫補(bǔ)振蕩器,TCXO晶振等產(chǎn)品的廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時做出反應(yīng).

對我們的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗,同時告知我們大真空晶振的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.

公司的各項能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平.

KDS晶振集團(tuán)實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).KDS晶振,石英晶振,DSX530GA晶振,DSX530GK晶振

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