NSK晶,貼片晶振,NADD 7X5晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,有源晶振被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
津綻晶振公司是世界領(lǐng)先的頻率控制元件制造商:石英晶體、晶體振蕩器、壓控晶體振蕩器的主要和關(guān)鍵的電子產(chǎn)品的一部分.津綻為客戶提供高質(zhì)量的晶體元件在電子產(chǎn)品的廣泛使用,例如,無線、電信、網(wǎng)絡(luò)、計算機及外圍設(shè)備、GSM等通信設(shè)備.津綻一直支持臺灣與國際客戶提供質(zhì)量晶體超過10年.

型號 |
符號 |
NADD 7X5 |
輸出規(guī)格 |
- |
LVDS |
輸出頻率范圍 |
fo |
77.76~622.08MHz |
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40?+85℃ |
運行溫度范圍 |
T_use |
-10?+70℃ ,-40?+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
待機時電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形對稱 |
SYM |
45?55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
- |
1電平電壓 |
VOH |
- |
上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247?0.454V |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
補償電壓 |
VOS |
1.125?1.375V |
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉點電壓 |
Vcr |
- |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |

以下是NSK石英晶振電路設(shè)計匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負電阻的值,|?R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL).
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設(shè)計.我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.
臺產(chǎn)晶振津綻NSK環(huán)保基本理念:
1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
2.保護自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護,維持和保全生物多樣性.
3.有效利用資源和能源,認識到資源和能源的有限性,努力進行有效利用.
4為構(gòu)建循環(huán)型社會做出貢獻,致力于減少石英晶振,貼片晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器,NSK石英體廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會.
5.推進環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實力,推進環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負荷做出貢獻.
6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標,定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.
NSK晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對策:實行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高石英晶振,有源晶體振蕩器,OSC晶振材料的+能源利用效率,改善能源結(jié)構(gòu).運用經(jīng)濟手段保護環(huán)境.大力推進科技進步,加強環(huán)境科學(xué)研究,積極發(fā)展環(huán)境保護產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強化環(huán)境管理.加強環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識.NSK晶,貼片晶振,NADD 7X5晶振