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NSK晶,有源晶振,差分晶振,NADD 7X5晶振

NSK晶,有源晶振,差分晶振,NADD 7X5晶振NSK晶,有源晶振,差分晶振,NADD 7X5晶振

產(chǎn)品簡介

尺寸:5.0x7.0mm 頻率:77.76M~200MHZ, 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗

產(chǎn)品詳情

1XQJX

NSK-1

NSK晶,貼片晶振,NADD 7X5晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,有源晶振被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

津綻晶振公司是世界領(lǐng)先的頻率控制元件制造商:石英晶體、晶體振蕩器、壓控晶體振蕩器的主要和關(guān)鍵的電子產(chǎn)品的一部分.津綻為客戶提供高質(zhì)量的晶體元件在電子產(chǎn)品的廣泛使用,例如,無線、電信、網(wǎng)絡(luò)、計算機及外圍設(shè)備、GSM等通信設(shè)備.津綻一直支持臺灣與國際客戶提供質(zhì)量晶體超過10.

2GGCS

NSK-2

型號

符號

NADD 7X5

輸出規(guī)格

-

LVDS

輸出頻率范圍

fo

77.76~622.08MHz

電源電壓

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

頻率公差
(含常溫偏差)

f_tol

±50×10-6max., ±100×10-6max.

保存溫度范圍

T_stg

-40?+85

運行溫度范圍

T_use

-10?+70 ,-40?+85

消耗電流

ICC

20mA max.

待機時電流(#1引腳"L"

I_std

10μA max.

輸出負載

Load-R

100Ω (Output-OutputN)

波形對稱

SYM

45?55% [at outputs cross point]

0電平電壓

VOL

-

1電平電壓

VOH

-

上升時間 下降時間

tr, tf

0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]

差分輸出電壓

VOD1, VOD2

0.247?0.454V

差分輸出誤差

VOD

50mV [VOD=VOD1VOD2]

補償電壓

VOS

1.125?1.375V

補償電壓誤差

VOS

50mV

交叉點電壓

Vcr

-

OE端子0電平輸入電壓

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1電平輸入電壓

VIH

VCC×0.7 min.

輸出禁用時間

tPLZ

200ns

輸出使能時間

tPZL

2ms

周期抖動(1

tRMS

5ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 22ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (Peak to peak)

總抖動(1

tTL

50ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 35ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)]

相位抖動

tpj

1.5ps max. (13.5MHzfo<27MHz) / 1ps max. (27MHzfo<212.5MHz)
[13.5MHz
fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

3CC

NSK-3

NADD 75 7050 LVDS OSC

4ZYSX

NSK-4

以下是NSK石英晶振電路設(shè)計匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負電阻的值,|?R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL).
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設(shè)計.我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.
5HBFZ

NSK-5

臺產(chǎn)晶振津綻NSK環(huán)保基本理念:

1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).

2.保護自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護,維持和保全生物多樣性.

3.有效利用資源和能源,認識到資源和能源的有限性,努力進行有效利用.

4為構(gòu)建循環(huán)型社會做出貢獻,致力于減少石英晶振,貼片晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器,NSK石英體廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會.

5.推進環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實力,推進環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負荷做出貢獻.

6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標,定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.

NSK晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對策:實行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高石英晶振,有源晶體振蕩器,OSC晶振材料的+能源利用效率,改善能源結(jié)構(gòu).運用經(jīng)濟手段保護環(huán)境.大力推進科技進步,加強環(huán)境科學(xué)研究,積極發(fā)展環(huán)境保護產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強化環(huán)境管理.加強環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識.NSK晶,貼片晶振,NADD 7X5晶振

6LXFS

NSK-6

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