Abracon晶振,陶瓷面晶振,ABMM晶振,Abracon llc晶振集團已通過iso9001:2008認證,在加州和伊利諾斯州擁有設(shè)計和應(yīng)用工程資源;在得克薩斯州、加利福尼亞州、中國、臺灣、新加坡、蘇格蘭和德國的銷售辦事處,主要生產(chǎn)銷售石英晶振,石英晶體,貼片晶振,石英晶體振蕩器,有源晶振等.
Abracon llc成立于1992年8月5日,其愿景是成為全球頂級制造商,并擁有非并行應(yīng)用工程和銷售支持.為了實現(xiàn)這一愿景,Abracon獲得了iso9001 - 2008質(zhì)量認證,在北美和海外的生產(chǎn)設(shè)施和技術(shù)合作伙伴中選擇了股權(quán)投資,建立了與即將到來的技術(shù)公司的渠道伙伴關(guān)系,并在其加州的位置設(shè)立了一個國家的藝術(shù)工程實驗室.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
Abracon晶振規(guī)格 |
單位 |
Abracon晶振頻率范 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
6.0~125.0MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.ljbzc.com |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF~∞ |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品.請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等.Abracon晶振,陶瓷面晶振,ABMM晶振
每個封裝類型的注意事項
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應(yīng)力而導致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂).尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法.
陶瓷包裝石英晶振
在一個不同擴張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性.
Abracon llc晶振集團采用系統(tǒng)的方法來解決石英晶振,有源晶振, 壓電石英晶體, 石英水晶振蕩子對環(huán)境影響
開發(fā)和銷售擁有最有利的環(huán)境特性同時又滿足最高可能功效標準的晶振,石英晶振,有源晶振等壓電石英晶體器件.Abracon晶振,陶瓷面晶振,ABMM晶振
Abracon llc晶振集團采用對環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝,在壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)開發(fā)和制造過程中使用對環(huán)境健康的、可回收利用的材料,為開發(fā)高效的、對環(huán)境影響最小的運輸系統(tǒng)而工作.
無論Abracon llc晶振集團在世界何處,其經(jīng)營都應(yīng)保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標準,確保業(yè)務(wù)合作伙伴對環(huán)境問題同等關(guān)注.從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開發(fā)活動,以公開和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息.