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GL-1

高利奇晶振,有源晶振,MCSO6E晶振,MCSO6晶振,MCSO6F晶振,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

石英晶振的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等 2GGCS GL-2

項(xiàng)目	符號(hào)	MCSO6E規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	10.0kHz ~ 60.0MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	2.5V~5.0V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CCMax.	ST終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CCMax.	ST終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

項(xiàng)目	符號(hào)	MCSO6規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f0	10.0kHz ~ 155MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	VCC	2.5V~5.0V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCCMax.	ST終端
輸入電壓	VIL	20 % VCCMax.	ST終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

項(xiàng)目	符號(hào)	MCSO6F規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f0	10.0kHz ~ 60.0MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	VCC	2.5V~3.3V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCCMax.	ST終端
輸入電壓	VIL	20 % VCCMax.	ST終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

3CC

mcso6e 3522 OSC

4ZYSX GL-4

石英晶振頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍

這個(gè)問題的可能性相對(duì)較小。請(qǐng)確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式，由于放大電路的反饋大。當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問題可能會(huì)發(fā)生。為了解決這個(gè)問題，請(qǐng)采用三次泛音模式晶振。
5-2。此外，放大電路，第三色調(diào)模式設(shè)計(jì)不當(dāng)也可能導(dǎo)致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。

系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。
6-1。請(qǐng)參照資料2.也可以提高終端石英晶振電容解決方案，然后檢查波形幅度是否得到改善。

7-1。請(qǐng)確定使用頻譜分析儀機(jī)中斷信號(hào)的頻率。我們可以發(fā)現(xiàn)存在的問題是根據(jù)頻率什么。
7-2。如果是從電源的交流信號(hào)，請(qǐng)檢查電源和信號(hào)的兩個(gè)理由的狀態(tài)是否是浮動(dòng)的。請(qǐng)改為浮動(dòng)，如果它不是。
7-3。如果信號(hào)具有高頻率，請(qǐng)使用以下方法：使用晶振外殼為接地。采用水晶較小C0。
增加電路，鎘和CG的外部電容，并采用晶體具有較高的負(fù)載電容CL。
7-4。請(qǐng)檢查周圍電路和PCB布局，如果上面的方法都沒有能夠解決您的問題。如果兩者都正常，那么請(qǐng)你聯(lián)系IC制造商探討其芯片組設(shè)計(jì)的不明信號(hào)的反應(yīng)。改變周圍電路的設(shè)計(jì)只能緩解問題，而不是完全解決它。通常。這將是最好找出來的芯片組設(shè)計(jì)問題并解決它。高利奇晶振,有源晶振,MCSO6E晶振,MCSO6晶振,MCSO6F晶振

高利奇貼片晶振環(huán)保理念

高利奇石英晶振公司通過BSI質(zhì)量保證,獲得了ISO 9001:2015的認(rèn)證.BSI是世界領(lǐng)先的認(rèn)證機(jī)構(gòu)之一.自我們于1996年在ISO 9002 - 1994的原始認(rèn)證以來,每一項(xiàng)評(píng)估都顯示出一份清潔的健康法案,沒有不一致的情況.

作為世界領(lǐng)先的石英晶體諧振器,貼片晶振, 壓控溫補(bǔ)振蕩器,石英晶體供應(yīng)商,高利奇晶振公司敏銳地意識(shí)到我們的責(zé)任,確保我們的產(chǎn)品不受有害物質(zhì)和高度關(guān)注的物質(zhì)的影響,而且所有的部件材料都是由無沖突地區(qū)負(fù)責(zé)的.

高利奇石英晶振公司認(rèn)真對(duì)待環(huán)境,管理環(huán)境管理系統(tǒng),并將其重新編碼到ISO14001.我們的環(huán)境政策,作為我們不斷改進(jìn)的動(dòng)力的一部分,我們也鼓勵(lì)員工在生活的各個(gè)方面都意識(shí)到他們對(duì)環(huán)境的影響.

6LXFS GL-6