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: 京瓷晶振,溫補(bǔ)振蕩器,KT18晶振

頻率：12.80~26.0MHz 尺寸：5.0*3.2mm 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

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: 京瓷晶振,陶瓷封裝晶振,MFO-208F晶振

頻率：1.5~50.0MHz 尺寸：5.0*3.2mm 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

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: 京瓷晶振,晶體振蕩器,FXO-301FL晶振

頻率：90.0~125.0MHz 尺寸：5.0*3.2mm 進(jìn)口的有源貼片晶振中，小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn)。

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: 京瓷晶振,5032晶體振蕩器,FXO-62F晶振

頻率：8.0~32.0MHz 尺寸：5.0*3.2mm 進(jìn)口的有源貼片晶振中，小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn)。

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: IDT晶振,普通有源晶振,XLH晶振

頻率：0.750MHz to 250MHz 尺寸：5.0*3.2mm 主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

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: IDT晶振,差分貼片晶振,XLL晶振

頻率：0.750MHz to 1350MHz 尺寸：5.0*3.2mm 差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對(duì)高標(biāo)準(zhǔn)參考時(shí)鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動(dòng)具備低抖動(dòng)特征

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: IDT晶振,差分貼片晶振,XLP晶振,XUL晶振

頻率：0.016MHz~1500MHz 尺寸：5.0*3.2mm 差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對(duì)高標(biāo)準(zhǔn)參考時(shí)鐘的需求尤其突出

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: EPSON晶振,VC-TXCO晶振,TG5032SGN晶振

頻率：10.0~40.0 MHz 尺寸：5.0*3.2mm 溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無(wú)線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.

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: EPSON晶振,超高精度VC-TXCO晶振,TG5032CGN晶振

頻率：10.0~40.0 MHz 尺寸：5.0*3.2mm 溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無(wú)線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.

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: EPSON晶振,溫補(bǔ)振蕩器,TG5032SFN晶振

頻率：13.0~55.0 MHz 尺寸：5.0*3.2mm 溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無(wú)線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.

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: EPSON晶振,5032振蕩器,TG5032CFN晶振

頻率：13.0~55.0 MHz 尺寸：5.0*3.2mm 溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無(wú)線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.

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: EPSON晶振,壓控溫補(bǔ)振蕩器,TG1612SAN晶振

頻率：13.0~52.0 MHz 尺寸：1.6*1.2mm 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本WLAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

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新聞資訊

計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟: 計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

數(shù)十億個(gè)計(jì)時(shí)設(shè)備用于每天影響我們生活的電子系統(tǒng)。幾十年來(lái)，石英計(jì)時(shí)器件一直是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。但它們體積龐大，可靠性較低，并且在環(huán)境壓力下無(wú)法正常工作。Quartz 未能跟上大規(guī)模的技術(shù)爆炸。現(xiàn)在是時(shí)候打破舊的 quartz 技術(shù)并構(gòu)建可以塑造我們未來(lái)的計(jì)時(shí)解決方案了。SiTime晶振的 MEMS 定時(shí)器件就是這樣誕生的。SiTime晶振的 MEMS 器件由硅制成（石英不是）。它使SiTime晶振能夠利用半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢(shì)，例如更高的質(zhì)量、最新的封裝創(chuàng)新以及無(wú)需大量投資即可快速擴(kuò)展的能力。
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