Cardinal石英晶振選型參考，素來以石英晶體產品而聞名的Cardinal公司，總能為市場帶來更多新奇的產品，隨著自身遇到極大的瓶頸期，為了打破目前的低迷時期，Cardinal公司開始針對高端的石英SMD晶振進行深入研究，同時也開始追求出色的穩(wěn)定性能為主，隨之針對性解決市場需求，也在不斷挑戰(zhàn)的高難度的問題，正是那些難而正確的事造就如今的Cardinal。

石英晶體單元是振蕩器電路，通過將機械振動轉換為特定頻率的電流。這是通過“壓電”效應。壓電是由壓力產生的電。在壓電材料中將產生沿一個軸施加的機械壓力在沿著右邊的軸產生電荷的過程中與第一個成角度。在一些材料中，發(fā)現(xiàn)了正面壓電效應，這意味著軸兩端的電場將導致機械沿與第一軸線成直角的軸線的偏轉。石英是在機械、電氣和化學性能方面，特別適合制造頻率控制裝置。在特定頻率和溫度范圍內振蕩的石英晶體單元已經開發(fā)出來這些年。

石英晶體最實用的原料是結晶二氧化硅，SiO2。這是由于其機械和化學穩(wěn)定性，以及良好的壓電性能常數(shù)材料中的小摩擦損失保證了制造非常高質量因素。
在自然界中，二氧化硅有不同的形式其中石英。盡管地球表面的14%由二氧化硅組成，很少發(fā)現(xiàn)合適尺寸和必要純度的石英。因此，培養(yǎng)的石英具有已開發(fā)。培養(yǎng)的石英是由二氧化硅的熱飽和溶液制成的，在大型鋼制高壓滅菌器中，溫度為大約400°C的溫度和1000 Kgs的壓力/cm2晶體的軸向生長由種植在高壓滅菌器中的預先切割的種子控制。增長率可以高達每天2.5毫米。為了實現(xiàn)純晶體、可控的緩慢生長速率是優(yōu)選的。培養(yǎng)石英的石英晶振產量較高與使用生長石英時相比。
溫度系數(shù)與頻率有關石英坯料相對于作為石英的函數(shù)的溫度變化的穩(wěn)定性、振動模式，以及切割類型。高頻AT晶體的頻率-溫度曲線，稱為特定溫度范圍下的頻率偏差（PPM）（以°C為單位），曲線族可用于定義最大切割中心周圍的允許偏差（以分鐘為單位）空白。
在各種元素中，“AT”切割已成為最受歡迎的是，因為它在相對較高的頻率下可用，表現(xiàn)出優(yōu)異的頻率與溫度穩(wěn)定性，并且以合理的成本廣泛可用。

“串聯(lián)”諧振晶體用于振蕩器反饋回路中不包含電抗元件的電路。擬使用“平行”諧振晶體在振蕩器反饋回路中包含電抗元件（通常是電容器）的電路中。此類電路取決于反應成分和晶體的組合以實現(xiàn)在指定頻率下開始和保持振蕩所必需的相移。Cardinal石英晶振選型參考
可拉性是指晶體頻率的變化單位，從自然諧振頻率（FR）到負載諧振頻率（FL）或從一個負載諧振頻率到另一個負載共振頻率。給定負載電容值下的給定晶體單元是晶體單元的分流電容（C0）和運動電容（C1）的函數(shù)。
石英晶體的等效電路有助于解釋晶體的性能。

C0是晶體的并聯(lián)電容或靜態(tài)電容。此參數(shù)等于從引腳測得的電容之和涉及包括電極和安裝結構的引腳。
L1，C1，和R1是水晶的運動臂。
L1，運動電感，由機械運動中的石英質量。Thompson公式將L1和C1規(guī)范。

C1是晶體的運動電容。此參數(shù)由石英的硬度（常數(shù)）決定電極的面積以及石英晶片。
R1代表結晶它是振動過程中機械損耗的函數(shù)。低電阻是機械損失很小的標志正在發(fā)生。電阻越低，晶體就越容易將振蕩。
晶體規(guī)格的三個主要組成部分是：
室溫下的校準
溫度范圍內的穩(wěn)定性
變老
室溫下的校準是對頻率在+25°C時的精度。無源晶振晶體頻率為通過改變電極。較低的頻率對質量不太敏感變化，因此更容易保持更嚴格的公差。公差和穩(wěn)定性以百萬分之幾為單位（ppm）。
切割石英棒的角度決定了在溫度范圍內的穩(wěn)定性。一種非常流行的剪裁是“AT”切割。切割的準確性決定了松緊程度ppm的偏移將在一個溫度范圍內。
老化是指頻率隨時間的變化。二影響本規(guī)范的因素有：污染和壓力?？匆婈P于衰老的部分。
負載容量是整個電路的動態(tài)容量在晶體端子上測量或計算。在并聯(lián)電路中，應選擇負載容量進行操作fr-fa電抗曲線上穩(wěn)定點處的晶體（如盡可能接近fr）。

下面是一個振蕩器電路的例子，其中晶體預計以其并聯(lián)模式運行。如果一個系列晶體則頻率將高出大約0.02%。

負載電容（CL)，以皮法拉（pF）為單位，可以通過以下公式計算：

Cstray包括引腳對引腳、輸入和輸出電容C1的振蕩器級和C2引腳加上任何附加寄生生物。通常假定Cstray等于5pF。
如果C1和C2每個等于22 pF，則CL=16 pF。
如果振蕩器級配置為向晶體呈現(xiàn)的相移恰好等于0°或360°的倍數(shù)，則晶體將在串聯(lián)諧振（fr）下操作。這個晶體的負載能力必須指定為“串聯(lián)諧振”。
晶體單元的質量因子（Q）值是衡量單元相對質量或振蕩效率的指標。晶體單元可達到的最大穩(wěn)定性取決于“Q”值。系列之間的分離并行頻率稱為帶寬。越小帶寬，“Q”值越高，斜率越陡電抗。外部電路元件電抗的變化對高“Q”晶體；因此這樣的部件更加穩(wěn)定。
晶體的美國軍事規(guī)范（MIL-C-3098）定義了等效電阻，如下所示：

對于設計為在串聯(lián)諧振下操作的晶體單元，等效電阻是在指定的晶體阻抗下工作時的單元儀表根據(jù)額定驅動電平進行調整，并調諧到指定的晶體單元頻率。
對于設計為在并聯(lián)或反諧振下工作的晶體單元，等效電阻是指該單元和規(guī)定的串聯(lián)負載電容器的等效歐姆電阻負載值，當在指定的晶體阻抗計中操作時，根據(jù)額定驅動電平進行調整并調諧到指定的晶體單位頻率。
操作驅動級別是內部耗散的功率水晶坯。仔細確定并選擇與可靠啟動一致的驅動級別up和晶體一旦振蕩時的期望性能。如果驅動電平過低（通常小于100微瓦），則可能不會發(fā)生振蕩的開始。但是，驅動器電平過高（通常大于1毫瓦）將導致頻率偏移、長期頻率老化不良，以及操作溫度上的頻率擾動。
老化是一個通用術語，用于描述晶體單元工作特性的逐漸惡化隨著時間的推移。許多因素導致了這種惡化，例如如內部污染、過度驅動水平、電線疲勞、摩擦磨損和晶體坯料的表面侵蝕。制造過程和石英坯料的清潔度可以大大減少污染造成的老化。最快衰老發(fā)生在第一年。如果晶體的老化率必須是低的，晶體可以通過溫度循環(huán)或通過長時間的高溫老化來預老化。
所有貼片石英晶體都有多種振動模式。雜散模式是指那些不需要的模式如果響應與主模式一樣強烈，則會出現(xiàn)問題。當振蕩器運行在支線而不是干線上時模式下，頻率輸出發(fā)生變化。寄生模態(tài)應指定為與主電源的電阻比模式或dB抑制。電阻比為1.5或2.0比1足以避免模式跳變。-3dB到-6dB是以dB表示的規(guī)格的近似等效。