網(wǎng)絡(luò)通信超級適合Microchip高性能振蕩器DSC1104CI5-125.0000，伴隨電子行業(yè)的快速發(fā)展，產(chǎn)品進(jìn)入了持續(xù)不斷迭代與更新的狀態(tài)，Microchip公司為了能夠獲得更多的市場機(jī)會，開始大量針對當(dāng)下物聯(lián)網(wǎng)和通信設(shè)備，無線網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域優(yōu)化自身的產(chǎn)品，以此贏得更大的市場空間，同時也放下更多無效的產(chǎn)品，專注于幾個應(yīng)用領(lǐng)域，SMD振蕩器產(chǎn)品的工藝比以往更甚細(xì)膩，效率更加高，性能更為出色，這也使得Microchip公司對于行業(yè)未來的發(fā)展有了極大的信心。

原廠代碼	品牌	型號	類型	頻率	電壓
DSC1124CI2-156.2500	Microchip晶體振蕩器	DSC1124	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124CI5-100.0000T	Microchip晶體振蕩器	DSC1124	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101DL5-052.8000	Microchip晶體振蕩器	DSC1101	MEMS (Silicon)	52.8MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1104CI5-125.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1104	MEMS (Silicon)	125MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DL5-020.0000T	Microchip晶體振蕩器	DSC1001	MEMS (Silicon)	20MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-024.0000T	Microchip晶體振蕩器	DSC1001	MEMS (Silicon)	24MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1123DI2-100.0000B	Microchip晶體振蕩器	DSC1123	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI1-022.8800T	Microchip晶體振蕩器	DSC1123	MEMS (Silicon)	22.88MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-212.5000	Microchip晶體振蕩器	DSC1123	MEMS (Silicon)	212.5MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI2-103.1250	Microchip晶體振蕩器	DSC1122	MEMS (Silicon)	103.125MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI1-122.8800	Microchip晶體振蕩器	DSC1123	MEMS (Silicon)	122.88MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CE1-200.0000T	Microchip晶體振蕩器	DSC1103	MEMS (Silicon)	200MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CE1-156.2500T	Microchip晶體振蕩器	DSC1103	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI1-156.2500	Microchip晶體振蕩器	DSC1122	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AE1-125.0000T	Microchip晶體振蕩器	DSC1123	MEMS (Silicon)	125MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AE2-156.2500	Microchip晶體振蕩器	DSC1122	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BE1-156.2500T	Microchip晶體振蕩器	DSC1122	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AE2-040.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1123	MEMS (Silicon)	40MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AI2-040.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1123	MEMS (Silicon)	40MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BI1-100.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1122	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BI2-100.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1122	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BI2-114.2850	Microchip晶體振蕩器	DSC1122	MEMS (Silicon)	114.285MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BI2-155.5200	Microchip晶體振蕩器	DSC1122	MEMS (Silicon)	155.52MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BI2-156.2500	Microchip晶體振蕩器	DSC1122	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI1-100.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1102	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AI2-150.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1122	MEMS (Silicon)	150MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DL5-075.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1001	MEMS (Silicon)	75MHz	1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DL5-133.3330	Microchip晶體振蕩器	DSC1001	MEMS (Silicon)	133.333MHz	1.7 V ~ 3.6 V
DSC1101CM1-075.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1101	MEMS (Silicon)	75MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101CM1-033.3333	Microchip晶體振蕩器	DSC1101	MEMS (Silicon)	33.3333MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101CM1-005.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1101	MEMS (Silicon)	5MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-080.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1001	MEMS (Silicon)	80MHz	1.7 V ~ 3.6 V
DSC1123CE5-100.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1123	MEMS (Silicon)	100MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122NI5-025.0020	Microchip晶體振蕩器	DSC1122	MEMS (Silicon)	25.002MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103DI5-171.8181T	Microchip晶體振蕩器	DSC1103	MEMS (Silicon)	171.8181MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103DI5-171.8181	Microchip晶體振蕩器	DSC1103	MEMS (Silicon)	171.8181MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CI5-150.0000T	Microchip晶體振蕩器	DSC1102	MEMS (Silicon)	150MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CI5-224.8200	Microchip晶體振蕩器	DSC1103	MEMS (Silicon)	224.82MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AL1-150.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1123	MEMS (Silicon)	150MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AI5-025.0020	Microchip晶體振蕩器	DSC1122	MEMS (Silicon)	25.002MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BI5-156.2500T	Microchip晶體振蕩器	DSC1123	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CL5-106.2500T	Microchip晶體振蕩器	DSC1103	MEMS (Silicon)	106.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124CI1-156.2500TA	Microchip晶體振蕩器	DSC1124	MEMS (Silicon)	156.25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103BL5-062.5000	Microchip晶體振蕩器	DSC1103	MEMS (Silicon)	62.5MHz	2.25 V ~ 3.6 V
MX553BBA312M500	Microchip晶體振蕩器	MX55	XO (Standard)	312.5MHz	2.375 V ~ 3.63 V
DSC6111CI1A-016.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC6100	MEMS (Silicon)	16MHz	1.71 V ~ 3.63 V
DSC1001CL2-012.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1001	MEMS (Silicon)	12MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI1-050.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1001	MEMS (Silicon)	50MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI1-024.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1001	MEMS (Silicon)	24MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI1-025.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1001	MEMS (Silicon)	25MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI2-033.3300	Microchip晶體振蕩器	DSC1001	MEMS (Silicon)	33.33MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-100.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1001	MEMS (Silicon)	100MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-025.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1001	MEMS (Silicon)	25MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CE2-006.0000	Microchip晶體振蕩器	DSC1001	MEMS (Silicon)	6MHz	1.8 V ~ 3.3 V

編碼DSC1104CI5-125.0000，DSC1104和DSC1124系列的高性能貼片晶體振蕩器采用成熟的硅MEMS技術(shù)提供出色的抖動和穩(wěn)定性，寬范圍的電源電壓和溫度。經(jīng)過消除了對石英或SAW技術(shù)的需要，MEMS振蕩器顯著增強(qiáng)了可靠性 加速產(chǎn)品開發(fā)，同時滿足各種應(yīng)用的嚴(yán)格時鐘性能標(biāo)準(zhǔn)通信、存儲和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用。 DSC1104具有待機(jī)功能，允許它en引腳拉低時完全關(guān)斷； 而對于DSC1124，只有輸出被禁用 當(dāng)en為低電平時。兩款振蕩器均可在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括小型2.5毫米x2.0毫米，是標(biāo)準(zhǔn)6針HCSL石英晶體振蕩器。

特性：低RMS相位抖動:<1ps(類型)，高穩(wěn)定性:±10ppm，±20ppm，±25ppm，±50ppm，寬溫度范圍：工業(yè):- 40℃~ +85℃，外商用:- 20°C至+70°C，工業(yè)外:- 40°C至+105°C，高電源噪聲抑制:-50dBc，寬頻率范圍:2.3MHz至460MHz，小的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸:2.5 mm×2.0mm, 3.2mm×2.5mm，5.0mm×3.2mm和7.0mm×5.0mm，卓越的抗沖擊和抗振動能力，符合MIL-STD-883標(biāo)準(zhǔn)，高可靠性，MTF比石英晶體振蕩器好20倍，低電流消耗，電源范圍2.25V至3.6V，待機(jī)和輸出使能功能，無鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn).網(wǎng)絡(luò)通信超級適合Microchip高性能振蕩器DSC1104CI5-125.0000.

應(yīng)用程序：存儲區(qū)域網(wǎng)絡(luò)，SATA、SAS、光纖通道，無源光網(wǎng)絡(luò)，epon, 10g-epon, pon, 10g-pon，以太網(wǎng)，1G, 10GBASE-T/KR/LR/SR和FCoE，HD/SD/SDI視頻和監(jiān)控，PCI Express: Gen1到Gen4，顯示端口.