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Silicon Labs MG24為Waites數(shù)據(jù)密集型AI傳感器供電

返回列表 來(lái)源:冠杰電子 瀏覽:- 發(fā)布日期:2024-03-07 17:26:14【

Silicon Labs MG24為Waites數(shù)據(jù)密集型AI傳感器供電

EFR32MG24系列2多協(xié)議無(wú)線(xiàn)SoC
EFR32MG24無(wú)線(xiàn)SOC非常適合智能家居、照明和樓宇自動(dòng)化產(chǎn)品使用Matter、OpenThread和Zigbee協(xié)議實(shí)現(xiàn)網(wǎng)狀物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線(xiàn)連接。具有高性能2.4GHz射頻、低功耗石英晶振和AI/ML硬件加速器和安全保險(xiǎn)庫(kù)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造商可以制造智能、堅(jiān)固、節(jié)能的產(chǎn)品,免受遠(yuǎn)程和本地網(wǎng)絡(luò)攻擊。運(yùn)行頻率高達(dá)78MHz的ARM Cortex -M33以及高達(dá)1.5MB的閃存和256kB的RAM為要求苛刻的應(yīng)用程序提供了資源,同時(shí)為未來(lái)的增長(zhǎng)留出了空間。目標(biāo)應(yīng)用包括網(wǎng)關(guān)和集線(xiàn)器,傳感器, 開(kāi)關(guān), 門(mén)鎖, LED照明、燈具、定位服務(wù)、預(yù)測(cè)性維護(hù)、玻璃破碎檢測(cè)、喚醒詞檢測(cè)等。
Waites通過(guò)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和人工智能改變狀態(tài)監(jiān)控
動(dòng)態(tài)的工業(yè)世界需要迅速的行動(dòng)和決策,尤其是當(dāng)設(shè)備出現(xiàn)故障時(shí)。對(duì)重要資產(chǎn)、重要基礎(chǔ)設(shè)施和運(yùn)營(yíng)的一致評(píng)估有助于檢測(cè)、提醒和解決運(yùn)營(yíng)違規(guī)問(wèn)題。狀態(tài)監(jiān)控和預(yù)測(cè)性維護(hù)在實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。通過(guò)分析和解釋各種類(lèi)型的機(jī)動(dòng)移動(dòng)機(jī)械的狀態(tài),企業(yè)可以最大限度地減少計(jì)劃外停機(jī)時(shí)間,增強(qiáng)資產(chǎn)生命周期管理和維護(hù)部署,并最終降低安全風(fēng)險(xiǎn)。
韋特斯:通過(guò)狀態(tài)監(jiān)控讓世界平穩(wěn)運(yùn)行
韋茨自2006年以來(lái)一直是狀態(tài)監(jiān)控領(lǐng)域的杰出人物,通過(guò)全天候即插即用的在線(xiàn)監(jiān)控,石英晶振廠(chǎng)家和設(shè)施經(jīng)理提供全面的運(yùn)營(yíng)視圖。他們的無(wú)線(xiàn)傳感器系統(tǒng)旨在革新預(yù)測(cè)性和預(yù)防性維護(hù),具有一系列用于監(jiān)控和分析三軸振動(dòng)和溫度數(shù)據(jù)的傳感器和網(wǎng)關(guān)。通過(guò)在其設(shè)施中實(shí)施Waites,工廠(chǎng)和設(shè)施經(jīng)理可以在不到5分鐘的時(shí)間內(nèi)使其設(shè)備監(jiān)控系統(tǒng)投入運(yùn)行。
機(jī)器學(xué)習(xí)革新工廠(chǎng)車(chē)間
人工智能系統(tǒng)通過(guò)訓(xùn)練模型、檢測(cè)異常和持續(xù)監(jiān)控設(shè)備參數(shù)來(lái)及時(shí)干預(yù)。AI/ML揭示了對(duì)傳感器數(shù)據(jù)的隱藏見(jiàn)解,將狀態(tài)監(jiān)控變成了一個(gè)主動(dòng)、經(jīng)濟(jì)高效和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的過(guò)程。Waites采用人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),包括深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和變壓器,以及大型語(yǔ)言模型(LLM)來(lái)識(shí)別用戶(hù)交互。他們還利用異常檢測(cè)和預(yù)測(cè)技術(shù)來(lái)監(jiān)控各種內(nèi)部和遙測(cè)指標(biāo),在高維多元時(shí)間序列數(shù)據(jù)中對(duì)設(shè)備缺陷進(jìn)行分類(lèi)。

制造、物流和醫(yī)療保健等行業(yè)越來(lái)越多地采用數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施資產(chǎn)管理。Waites走在最前沿,在存放超過(guò)100.000項(xiàng)關(guān)鍵資產(chǎn)的多層設(shè)施中部署了他們的傳感器,即使在具有挑戰(zhàn)性的射頻環(huán)境中也是如此。這些傳感器旨在確保精確、不間斷的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理。在部署狀態(tài)監(jiān)控傳感器時(shí),快速高效的設(shè)備設(shè)置和安裝是一項(xiàng)至關(guān)重要的優(yōu)勢(shì),配置時(shí)間不到一分鐘即可獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。韋特斯選擇了硅實(shí)驗(yàn)室EFR32MG24多協(xié)議SoC,可確保其數(shù)據(jù)密集型電池供電傳感器實(shí)現(xiàn)可靠、魯棒和安全的無(wú)線(xiàn)通信。貼片晶振,MG24 SoC以網(wǎng)狀物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線(xiàn)連接為目標(biāo),具有出色的射頻接收器靈敏度和高達(dá)20dBm的輸出功率,可擴(kuò)展范圍。使用外設(shè)反射系統(tǒng)(PRS)可以從CPU上卸載時(shí)間關(guān)鍵的I/O功能,1.5MB的閃存和256kB的RAM提供了堅(jiān)實(shí)的內(nèi)存空間。憑借其低功耗特性,MG24可確保Waites部署的傳感器的電池壽命長(zhǎng)達(dá)5年。此外,由于硅實(shí)驗(yàn)室的預(yù)編程CPMS服務(wù),Waites可以簡(jiǎn)化設(shè)備設(shè)置和安裝,將配置流程縮短至45秒,并為客戶(hù)提供快速可用性。

利用MG24石英晶體內(nèi)置AI/ML矩陣向量處理器(MVP)硬件加速器,Waites可以將時(shí)間序列數(shù)據(jù)的大型復(fù)雜數(shù)學(xué)運(yùn)算速度提高8倍,同時(shí)能耗降低8倍。

Design Waites面向未來(lái)的傳感器具有彈性,可擴(kuò)展至各種設(shè)施規(guī)模(擁有數(shù)千種不同的機(jī)器),即使在最具挑戰(zhàn)性的射頻條件下也能傳輸超過(guò)100 KB的數(shù)據(jù)。這些傳感器必須在低功耗模式下有效工作,以延長(zhǎng)電池壽命并減少電池更換頻率。此外,確保傳感器配置過(guò)程不到1分鐘即可完成。
針對(duì)mesh IoT無(wú)線(xiàn)連接,Waites選擇了超低功耗、多協(xié)議MG24 Silicon Labs SoC,并集成了AI/ML硬件加速器。MG24 SoC具有出色的RF接收器靈敏度、高達(dá)20 dBm的輸出功率以及大容量閃存和RAM存儲(chǔ)器,可確保一流的低延遲無(wú)線(xiàn)連接,非常適合數(shù)據(jù)密集型遠(yuǎn)程電池供電傳感器。
通過(guò)嵌入Silicon Labs MG24 SoC,Waites加快了其傳感器的部署,使不同行業(yè)的客戶(hù)能夠快速獲得傳感器。得益于Silicon Labs預(yù)編程CPMS服務(wù),Waites可以簡(jiǎn)化設(shè)備設(shè)置和安裝,將配置過(guò)程縮短至45秒。

原廠(chǎng)代碼 晶振廠(chǎng)家 型號(hào) 頻率 電壓 頻率穩(wěn)定度
511BCA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±20ppm
530BA125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V ±50ppm
531FB125M000DG Silicon晶振 Si531 125MHz 2.5V ±20ppm
530BB100M000DG Silicon晶振 Si530 100MHz 3.3V ±20ppm
530FC156M250DG Silicon晶振 Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
510ABA125M000BAG Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA74M2500BAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250BAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA200M000BAG Silicon晶振 Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA200M000BAG Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
530FA156M250DG Silicon晶振 Si530 156.25MHz 2.5V ±50ppm
531BC000110DG Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
535FB125M000DG Silicon晶振 Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
SI50122-A4-GM Silicon晶振 SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
511ABA156M250AAGR Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V有源晶振 ±25ppm
530FC125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531BC200M000DG Silicon晶振 Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DG Silicon晶振 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC622M080DG Silicon晶振 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
511FBA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250BAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250AAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250AAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
531BC125M000DG Silicon晶振 Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
530AC125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
531FB106M250DG Silicon晶振 Si531 106.25MHz 2.5V ±20ppm