SUNTSU晶體和振蕩器處理程序

1.機(jī)械沖擊:
由于水晶坯的易碎性，搬運(yùn)時(shí)應(yīng)格外小心石英晶體和振蕩器。設(shè)備不應(yīng)掉落在堅(jiān)硬的表面上，如地板和臺(tái)面。使用橡膠地板墊可以大大降低損壞的風(fēng)險(xiǎn)。單元掉落會(huì)導(dǎo)致多種故障模式，包括損壞晶體、斷開(kāi)的互連、損壞的封裝和斷開(kāi)的玻璃密封。
2.振蕩器插入技術(shù):
將振蕩器放入電路板時(shí)應(yīng)特別注意。觀察正確的引腳方向很重要。測(cè)試表明，將裝置反向插入（極性相反）或施加超過(guò)+7.0伏DC的高電壓都會(huì)導(dǎo)致故障。HCMOS器件更容易受到這種類型的損壞。如果需要進(jìn)貨檢驗(yàn)，我們建議使用零插入力（ZIF）插座，以消除引線損壞、玻璃與金屬密封界面退化或電鍍變形的可能性。應(yīng)通過(guò)外殼而不是導(dǎo)線來(lái)搬運(yùn)裝置。
3.靜電放電（ESD）:
石英晶體振蕩器裝置應(yīng)始終受到保護(hù)，免受ESD損害。應(yīng)采取適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施，以避免在搬運(yùn)和安裝過(guò)程中暴露于ESD。部件應(yīng)在靜電防護(hù)工作站進(jìn)行處理。應(yīng)采取預(yù)防措施，通過(guò)導(dǎo)電地板、導(dǎo)電桌墊和導(dǎo)電腕帶消除和防止靜電積聚或通過(guò)接地金屬托盤、導(dǎo)電容器和人員充電。
4.其他指南：
a）裝置應(yīng)儲(chǔ)存在干燥的環(huán)境中。
b）在準(zhǔn)備安裝到板上之前，設(shè)備應(yīng)保持在包裝中。
c）無(wú)論何時(shí)都應(yīng)佩戴手指套振蕩器或者晶體都要處理。
d）當(dāng)不在制造商包裝中時(shí)，裝置應(yīng)將其引線放置在泡沫中或單獨(dú)的托盤中
層，向上引導(dǎo)。
e）如果有必要進(jìn)行預(yù)安裝引線成型或切割，隨后應(yīng)進(jìn)行總泄漏測(cè)試，執(zhí)行以確保包裝完整性。

控制操作模式和第三泛音電路
在某些方面振蕩器應(yīng)用，比其他人更有必要控制操作模式。這些工作模式可能是不受歡迎的，如諧波、諧振和雜散模式，也可能是標(biāo)準(zhǔn)模式，如基頻、第三泛音、第五泛音等。
在幾百kHz范圍內(nèi)，非期望模式的頻率通常高于期望模式。當(dāng)使用可提拉石英晶體時(shí)，有必要在毛坯表面沉積大電極，以提供提拉能力。這是提高雜散的常見(jiàn)原因，可能導(dǎo)致晶振在雜散模式下振蕩。不期望的模式通常用電阻或頻率帶寬上不期望模式的電阻與期望模式的電阻之比來(lái)表示。期望模式和非期望模式之間3dB的間隔通常足以避免在寄生模式下工作。
下面列出了控制三次泛音電路中基本模式的兩種方法:
無(wú)電感三次泛音電路（圖A）類似于基本模式電路，只是反饋電阻值應(yīng)比正常值小得多，通常該值在2kW至6kW之間波動(dòng)。由于電阻值的原因，在基頻下電感導(dǎo)納的分量大于負(fù)載電容的導(dǎo)納，從而防止振蕩。同時(shí)，泛音處的電感導(dǎo)納小于負(fù)載電容的導(dǎo)納，因此能夠在第三泛音處振蕩。

調(diào)諧槽L/C泛音電路（圖B）需要一個(gè)額外的電感和電容來(lái)選擇三次泛音模式，同時(shí)抑制或拒絕基音模式。您需要選擇電感和電容值來(lái)滿足以下3個(gè)條件：

1.Lc/Cc部分在低于基頻的頻率下形成串聯(lián)諧振電路，這使得電路在基頻下看起來(lái)具有電感性。這種情況不利于基模振蕩。

2.Lc/Cc和C2元件構(gòu)成一個(gè)并聯(lián)諧振電路，其頻率大約在基頻和三次泛音頻率的中間。這種情況使電路在第三泛音頻率下呈容性，并有利于在第三泛音模式下振蕩。

3.將Lc儲(chǔ)能電路置于逆變器輸出端是理想的選擇，因?yàn)樗兄谠谛盘?hào)通過(guò)晶體之前清除所有不需要的模式。