用于6G室外路由器的SMD振蕩器TD-12.000MCE-T
用于6G室外路由器的SMD振蕩器TD-12.000MCE-T,TXC是一家小有名氣的元器件供應(yīng)商,秉持著創(chuàng)新的設(shè)計理念,不斷向市場提供性能優(yōu)越,具有成本效益的產(chǎn)品,通過不斷優(yōu)化與迭代,發(fā)布新型MEMS可編程晶體振蕩器產(chǎn)品編碼TD-12.000MCE-T,型號TD,尺寸為2520mm,頻率為12MHZ,頻率穩(wěn)定性50ppm,工作溫度-40°C~+85°C,具備良好的穩(wěn)定性能以耐壓性能,適合用于6G室內(nèi)路由器,無線模塊,藍(lán)牙模塊,小型設(shè)備等領(lǐng)域。
由于現(xiàn)代車輛中非常復(fù)雜的電子器件數(shù)量不斷增加,小型化板上的封裝密度也越來越高,因此對非常小的頻率確定元件的需求也在不斷增長。此外,在許多應(yīng)用程序中,必須從AEC-Q200兼容SMD石英敬安AEC-Q100兼容型貼片晶體振蕩器。設(shè)計人員要求更高的溫度范圍、更精確的頻率容差或更小的外殼,以滿足板極小化的要求。對于沒有補(bǔ)償?shù)氖?,不再可能實現(xiàn)這一點。此外,由于技術(shù)原因,小外殼中的電阻增加如此之大,以至于不能再堅持車輛制造商要求的≥10的安全系數(shù),因為振蕩器電平不能再在要求的安全范圍內(nèi)操作更高的石英電阻。使用汽車振蕩器,可以驅(qū)動更高的負(fù)載,可以循環(huán)使用更多的IC,因此在任何情況下都可以實現(xiàn)開關(guān)的安全焊接。與石英不同,振蕩器不需要占用空間的外部開關(guān)機(jī)制,這意味著可以開發(fā)更小的PCB。
極度耐用和高度精確:
10億小時的MTBF。50,000克的抗沖擊性和70克的振動穩(wěn)定性以及業(yè)界最佳的0.1ppb/G振動靈敏度并不只是一廂情愿的想法,而是符合LPO-AUT系列(-40/+85°C)、HTLPO-AUT(40/+105°C和-40/+125°C)和WTLPO-AUT(-55/+125°C)的SMD振蕩器所符合的標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境條件,從而為汽車SMD振蕩器設(shè)定了市場上的最佳值。所有汽車振蕩器在相應(yīng)的要求溫度范圍(也是-55/+125°C)內(nèi)的頻率穩(wěn)定性為20ppm,交付10年后老化為±5ppm。因此,汽車振蕩器精度極高,可用于所有汽車應(yīng)用,如信息娛樂系統(tǒng)、碰撞警告系統(tǒng)、汽車以太網(wǎng)、視覺系統(tǒng)、傳輸控制、黑匣子、傳感器等。
安全應(yīng)用:
汽車制造商的需求不斷增長。信息娛樂系統(tǒng)中通過藍(lán)牙與外部設(shè)備的通信結(jié)構(gòu)需要越來越快地運(yùn)行。汽車以太網(wǎng)甚至布線系統(tǒng)也必須越來越精確地循環(huán),以便更好地運(yùn)行。傳輸控制需要高溫范圍和極端程度的抗沖擊和振動穩(wěn)定性,而石英技術(shù)已無法滿足這些要求。但是它們可以用TXC產(chǎn)品系列中的汽車振蕩器來實現(xiàn)。
VDD范圍2.25–3.63 VDC/低功率:
該系列中的1–137MHz頻率范圍內(nèi)的低功耗AEC-Q100兼容型汽車時鐘振蕩器具有高度創(chuàng)新的CMOS ICs,不僅功耗極低,而且可以在任何可能的電源電壓下在2.25–3.63VDC(3.3VDC或3.0VDC,或2.8VDC或2.5VDC)的電源電壓范圍內(nèi)工作。
每一種精度和每一種電源電壓都需要自己精心指定、檢查、鑒定、購買和管理的振蕩器的時代已經(jīng)過去。“-XX-”版本(2.25–3.63VDC)在整個過程中節(jié)省了大量資金!此外,組件的數(shù)量可以顯著減少,這導(dǎo)致采購和庫存管理中的基礎(chǔ)設(shè)施成本降低(減少倉庫中的資金占用等)。)更大數(shù)量的組件也意味著更低的價格。
例如,低成本/低功耗汽車振蕩器的電源范圍為2.25–3.63VDC,精度為20 ppm@-55/+125°C,可用于任何汽車應(yīng)用。
例如,在125MHz的頻率下,汽車振蕩器的典型功耗為6.2ma@2.25–3.63VDC。傳統(tǒng)的石英振蕩器需要40 mA。這意味著汽車振蕩器也滿足了對現(xiàn)代部件的要求,現(xiàn)代部件需要越來越少的電能。所有傳統(tǒng)頻率的樣品都可以從TXC倉庫貨架上獲得,或者特殊頻率可以在幾天內(nèi)交付。
SolftLevel函數(shù)減少EMV:
原廠代碼
品牌
型號
類型
頻率
頻率穩(wěn)定度
工作溫度
TC-8.192MCE-T
TXC振蕩器
TC
MEMS (Silicon)
8.192MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TC-8.192MDE-T
TXC振蕩器
TC
MEMS (Silicon)
8.192MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TC-80.000MBE-T
TXC振蕩器
TC
MEMS (Silicon)
80MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TC-80.000MCE-T
TXC振蕩器
TC
MEMS (Silicon)
80MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TC-80.000MDE-T
TXC振蕩器
TC
MEMS (Silicon)
80MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-1.544MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
1.544MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-1.544MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
1.544MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-1.544MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
1.544MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-1.8432MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-1.8432MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-1.8432MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-10.000MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
10MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-10.000MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
10MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-10.000MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
10MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-100.000MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
100MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-100.000MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
100MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-100.000MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
100MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-106.250MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
106.25MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-106.250MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
106.25MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-106.250MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
106.25MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-11.0592MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-11.0592MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-11.0592MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.000MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.000MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.000MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.200MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12.2MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.200MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12.2MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.200MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12.2MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.288MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12.288MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.288MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12.288MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.288MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12.288MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.352MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.352MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.352MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.500MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.500MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-12.500MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-13.000MBE-T
TXC有源晶振
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-13.000MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-13.000MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-13.513MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-13.513MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-13.513MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-14.31818MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
14.31818MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-14.31818MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
14.31818MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-14.31818MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
14.31818MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-14.7456MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-14.7456MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-14.7456MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-15.000MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-15.000MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-15.000MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-15.8682MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
15.8682MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-15.8682MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
15.8682MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-15.8682MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
15.8682MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.000MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
16MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.000MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
16MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.000MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
16MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.0972MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
16.0972MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.0972MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
16.0972MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.0972MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
16.0972MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.384MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.384MCE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-16.384MDE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
TD-18.432MBE-T
TXC振蕩器
TD
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±50ppm
-40°C ~ 85°C
普通LVCMOS方波信號具有尖銳的邊沿,這可能導(dǎo)致汽車應(yīng)用中的EMV問題。安裝的高度創(chuàng)新的CMOS ICs允許輸出信號的上升時間和下降時間延長高達(dá)45%,因此通過延長TR/TF時間,可以實現(xiàn)超過-60 dB的11次諧波EMV阻尼。對于t來說,如此簡單的調(diào)整具有巨大的價值升高和t秋天不花顧客一分錢的時間,而是標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)的一部分。這是TXC汽車振蕩器的另一個非常重要的優(yōu)勢。
多種多樣的外殼–外殼的選擇
全部汽車振蕩器提供尺寸為2.0×1.6毫米的標(biāo)準(zhǔn)外殼;2.5×2.0毫米;3.2×2.5毫米;5.0×3.2毫米和7.0×5.0毫米。然而,對于新的設(shè)計,最常使用尺寸為2.0×1.6毫米和2.5×2.0毫米的外殼。然而,趨勢傾向于2.0×1.6mm。兩種套管都可以長期使用。用于6G室外路由器的SMD振蕩器TD-12.000MCE-T.
過時管理:
這是理所當(dāng)然的事,TXC技術(shù)公司已經(jīng)優(yōu)化了過時管理??紤]到這一點,TXC專家只向他們的客戶推薦至少可使用10年的產(chǎn)品。
總結(jié):
通過在2.25–3.63VDC("-XX-"版本)的電源范圍內(nèi)使用上述汽車有源晶振,頻率容差非常窄,為20ppm,整個過程可以節(jié)省大量資金,因為需要檢查、采購和儲存的產(chǎn)品更少。此外,通過對輸出信號的簡單調(diào)整,可以顯著改善EMV特性。TXC產(chǎn)品非常小巧,價格實惠,極其耐用,可長期使用,可用于所有汽車應(yīng)用。TXC技術(shù)公司的專家提供詳細(xì)的咨詢,不僅提供全面的技術(shù)服務(wù)設(shè)計輸入流程和應(yīng)用工程師的大規(guī)模生產(chǎn),但他們也可以根據(jù)車輛制造商標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行電路測試。從一個單一的來源為客戶的福利。TXC技術(shù)公司“您的計時專家”!
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