愛(ài)普生開(kāi)發(fā)的3225mmSPXO有源晶振X1G005591004400，如果說(shuō)晶振為何而來(lái)，大概就是為了成全電子產(chǎn)品的而來(lái)，兩者之間互相搭配，缺一不可，正是因?yàn)橛辛穗娮赢a(chǎn)品的存在，才有晶振的存在，獨(dú)特而又互相依賴，各自實(shí)現(xiàn)各自的價(jià)值。石英晶體單獨(dú)做成元件使用就是石英晶體諧振器，如果把石英晶體與半導(dǎo)體器件和阻容元件一起使用，便可構(gòu)成石英晶體振蕩器。石英晶體振蕩器一般都安裝在金屬盒內(nèi)，在金屬盒的底部有多個(gè)引腳以便和外電路進(jìn)行連接。石英晶體振蕩器可廣泛應(yīng)用于星彈測(cè)控、雷達(dá)、導(dǎo)航、通信、電子對(duì)抗、氣象、工業(yè)自動(dòng)控制、各種軍用電子設(shè)備及民用電子產(chǎn)品中。

Product Number	進(jìn)口晶振型號(hào)	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]
X1G005591003800	SG-8018CE	12.288000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591003900	SG-8018CE	33.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591004000	SG-8018CE	33.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591004100	SG-8018CE	30.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591004200	SG-8018CE	30.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591004300	SG-8018CE	26.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591004400	SG-8018CE	26.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591004500	SG-8018CE	24.576000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591004600	SG-8018CE	24.576000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591004700	SG-8018CE	100.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591004800	SG-8018CE	100.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591004900	SG-8018CE	4.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591005000	SG-8018CE	4.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591005100	SG-8018CE	66.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591005200	SG-8018CE	66.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591005300	SG-8018CE	19.660800 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591005400	SG-8018CE	19.660800 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591005500	SG-8018CE	125.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 6.7 mA
X1G005591005600	SG-8018CE	125.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 6.7 mA
X1G005591005700	SG-8018CE	33.333300 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591005800	SG-8018CE	33.333300 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591005900	SG-8018CE	11.289600 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006000	SG-8018CE	23.040000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591006100	SG-8018CE	28.636360 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA

這些用于需要更高穩(wěn)定性的應(yīng)用，即精確保持振蕩的精確頻率，例如手表、通信發(fā)射器和接收器。在 LC 振蕩器中，頻率由電感和電容值決定。

愛(ài)普生晶振公司推出了SG-8018CE晶振，編碼X1G005591004400，頻率26.000000兆赫，輸出WaveCMOS，供電電壓1.62至3.63 V，尺寸(長(zhǎng)×寬×高)3.20 × 2.50 × 1.20毫米，工作溫度-40到+105°C，頻率公差±50ppm，額外的OptionsN /OSC TypeProgrammable Clock時(shí)鐘OSC，SG-8018CE系列編程晶體振蕩器CMOS輸出。這個(gè)系列提供了頻率和其他參數(shù)的可編程性SG-8002/SG-8003系列SPXO有源晶振，它們也具有更廣泛的工作溫度范圍，最高極限為105°C。除了2.5 × 2.0 mm的封裝，將使電子制造商節(jié)省板空間，該振蕩器也將在以下流行的封裝尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。