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遙遙領(lǐng)先RENESAS石英晶體振蕩器專用AI

返回列表 來源:冠杰電子 瀏覽:- 發(fā)布日期:2023-09-21 09:04:35【

遙遙領(lǐng)先RENESAS石英晶體振蕩器專用AI

1. 背景

近年,隨著深度學(xué)習(xí)(DeepLearning)人工智能(AI)技術(shù)的進(jìn)步,我們的生活中出現(xiàn)了許多直接有益的應(yīng)用場景,例如自動(dòng)翻譯精度的提升和根據(jù)消費(fèi)者喜好的個(gè)性化推薦。截至2023年,AI在某些領(lǐng)域已經(jīng)成為產(chǎn)品和服務(wù)中不可或缺的應(yīng)用,其中之一就是自動(dòng)駕駛(AD)和先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)。

以深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(DNN)為代表的最新人工智能模型的處理需要大規(guī)模的并行計(jì)算,因此在PC開發(fā)中通常使用通用的GPU進(jìn)行并行計(jì)算。 另一方面,用于AD和ADAS的SoC多數(shù)搭載了專用電路(以下簡稱加速器),實(shí)現(xiàn)了低功耗和高性能的DNN和石英晶體振蕩器處理。 然而,在SoC開發(fā)的早期階段,確認(rèn)搭載的加速器能否在實(shí)際所需的DNN中提供足夠的性能通常并不容易。性能比較的指標(biāo)常常使用加速器設(shè)計(jì)上的最大計(jì)算性能TOPS(Tera Operations Per Second)值,或者其與運(yùn)行時(shí)消耗的功率相除得到的TOPS/W值。然而,由于加速器是針對特定處理的專用設(shè)計(jì)(*1),即使TOPS值足夠高,在實(shí)際所需的DNN中也可能由于存在無法高效處理的計(jì)算或數(shù)據(jù)傳輸帶寬不足等問題而無法提供足夠的性能。 此外,加速器的功率增加可能導(dǎo)致整個(gè)SoC的功耗超過可接受的范圍。

(*1) 專用設(shè)計(jì):雖然使用通用GPU作為加速器也是可能的,但處理特定任務(wù)的硬件,可以在較小的電路規(guī)模和功耗下獲得更高的處理性能。例如瑞薩的車載SoC R-Car V3H、R-Car V3M和R-Car V4H搭載的加速器具有專為處理DNN中使用卷積操作進(jìn)行特征提取的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(CNN)任務(wù)而設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)。

隨著SoC開發(fā)的深入,由于性能不足或功耗過大等原因而進(jìn)行設(shè)計(jì)變更的難度普遍增加,對SoC開發(fā)進(jìn)度和開發(fā)成本的影響也隨之增加。因此,在開發(fā)面向車載AI設(shè)備的SoC時(shí),確認(rèn)搭載的加速器能否在實(shí)際顧客產(chǎn)品中所需的DNN中提供足夠的性能,并且功耗是否在可接受范圍內(nèi),已成為迫切的問題。

2. 面向AD/ADAS的一般AI開發(fā)流程

在解釋如何解決上述問題之前,先簡單介紹一下AD/ADAS的AI開發(fā)流程。 下面的圖1展示了在AD/ADAS中以軟件為核心,并包括部分SoC開發(fā)的AI開發(fā)流程的示例。

圖3

圖1:AD/ADAS中AI開發(fā)流程的例子

圖1將整個(gè)開發(fā)工作分為六個(gè)階段,其中第2和第3階段為SoC電路設(shè)計(jì),其他第1和第4-6階段為軟件開發(fā)。 下面給出了每個(gè)階段的工作概述。

第一階段AI Application/Service Common Development,利用PC和云環(huán)境,以應(yīng)對市場需求和技術(shù)趨勢,開發(fā)面向AD/ADAS的AI應(yīng)用程序和服務(wù)。

第二階段AI Accelerator Detail Design,涵蓋了構(gòu)成加速器硬件的部件設(shè)計(jì),以及SMD振蕩器設(shè)計(jì),如計(jì)算單元、內(nèi)部存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)傳輸單元。遙遙領(lǐng)先RENESAS石英晶體振蕩器專用AI.

在第三階段AI Accelerator Configuration中,第二階段中設(shè)計(jì)的組件被組合起來,以優(yōu)化面積、功率和性能之間的權(quán)衡,同時(shí)確定加速器在SoC中的配置以實(shí)現(xiàn)各自的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

在第四階段DNN Model Architecture Design中,在第三階段中確定的加速器配置被用來優(yōu)化每個(gè)用于客戶產(chǎn)品的DNN網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)。

第五階段DNN Inference Optimization將針對經(jīng)過第四階段結(jié)構(gòu)優(yōu)化的每個(gè)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行適用于加速器的代碼生成,并進(jìn)行精度和處理時(shí)間的詳細(xì)評(píng)估。同時(shí),將對代碼和模型數(shù)據(jù)進(jìn)行優(yōu)化,以提高性能。

第六階段Application Development將使用第五階段中優(yōu)化的代碼和模型數(shù)據(jù),將AI處理部分嵌入到實(shí)際的自動(dòng)駕駛等處理中,并進(jìn)行應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)和評(píng)估。

Mfr Part # Mfr Description Series Frequency Output Voltage - Supply Frequency Stability
XLH735001.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 1.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC73 1 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH536040.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 40.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC53 40 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH536012.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 12.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC53 12 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH536027.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 27.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC53 27 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH536048.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 48.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC53 48 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH736010.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 10.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC73 10 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH736024.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 24.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC73 24 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH736033.333000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 33.3330MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC73 33.333 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH736050.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC73 50 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH736001.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 1.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC73 1 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH736040.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 40.0000MHZ HCMOS SMD XL 40 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH536008.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 8.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC53 8 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH736125.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 125.0000MHZ HCMOS XPRESSO  FXO-HC73 125 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH536028.636360I Renesas晶振 XTAL OSC XO 28.63636MHZ HCMOS XPRESSO  FXO-HC53 28.63636 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH330012.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 12.0000MHZ HCMOS SMD XL 12 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH736200.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 200.0000MHZ HCMOS XPRESSO  FXO-HC73 200 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH536125.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 125.0000MHZ HCMOS XPRESSO  FXO-HC53 125 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH536012.288000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 12.2880MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC53 12.288 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLL735125.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 125.0000MHZ LVDS SMD XPRESSO  FXO-LC73 125 MHz LVDS 3.3V ±50ppm
XLL335125.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 125.0000MHZ LVDS SMD XL 125 MHz LVDS 3.3V ±50ppm
XUL516100.000000I Renesas晶振 CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 2.54MM P XU 100 MHz LVDS 1.8V ±25ppm
XUN535100.000000I Renesas晶振 MULTIMKT-TIMING XU 100 MHz HCSL 3.3V ±50ppm
XUL536100.000000I Renesas晶振 MULTIMKT-TIMING XU 100 MHz LVDS 3.3V ±25ppm
XUL536125.000000I Renesas晶振 MULTIMKT-TIMING XU 125 MHz LVDS 3.3V ±25ppm
XUL736100.000000I Renesas晶振 MULTIMKT-TIMING XU 100 MHz LVDS 3.3V ±25ppm
XUL536156.250000I Renesas晶振 MULTIMKT-TIMING XU 156.25 MHz LVDS 3.3V ±25ppm
XUL736150.000000I Renesas晶振 MULTIMKT-TIMING XU 150 MHz LVDS 3.3V ±25ppm
XK03L106L212L425I Renesas Crystal PROXO 2 1.8 X 1.4MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK03L156L312L625I Renesas晶振 PROXO 2 1.8 X 1.4MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK03R156R312R625I Renesas晶振 PROXO 2 1.8 X 1.4MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK01H050H100H125I Renesas晶振 PROXO 2 1.8 X 1.4MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK03L161L322L644I Renesas晶振 PROXO 2 1.8 X 1.4MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK13R156R312R625I Renesas晶振 PROXO 2 2.0 X 1.6MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK13L161L322L644I Renesas晶振 PROXO 2 2.0 X 1.6MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK13L106L212L425I Renesas晶振 PROXO 2 2.0 X 1.6MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK11H050H100H125I Renesas晶振 PROXO 2 2.0 X 1.6MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK13L156L312L625I Renesas晶振 PROXO 2 2.0 X 1.6MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK23R156R312R625I Renesas晶振 PROXO 2 2.5 X 2.0MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK23L156L312L625I Renesas晶振 PROXO 2 2.5 X 2.0MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK21H050H100H125I Renesas晶振 PROXO 2 2.5 X 2.0MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK23L161L322L644I Renesas晶振 PROXO 2 2.5 X 2.0MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK23L106L212L425I Renesas晶振 PROXO 2 2.5 X 2.0MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK31H050H100H125I Renesas晶振 PROXO 2 3.2 X 2.5MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK33L161L322L644I Renesas晶振 PROXO 2 3.2 X 2.5MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK33L106L212L425I Renesas晶振 PROXO 2 3.2 X 2.5MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK33L156L312L625I Renesas晶振 PROXO 2 3.2 X 2.5MM 55FS PROGRAM - - - - -
XK33R156R312R625I Renesas晶振 PROXO 2 3.2 X 2.5MM 55FS PROGRAM - - - - -
XPP336100.000000I Renesas晶振 CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P XP 100 MHz LVPECL 3.3V ±25ppm
XFL235837.500000K Renesas晶振 DFN 2.00X2.50X1.00 MM, 0.40MM PI XF 837.5 MHz LVDS 3.3V ±50ppm
XFP235156.250000K Renesas晶振 DFN 2.00X2.50X1.00 MM, 0.40MM PI XF 156.25 MHz LVPECL 3.3V ±50ppm
XFN336100.000000I Renesas晶振 100.000000 MHZ 3.3VDC HCSL 3225 XF 100 MHz HCSL 3.3V ±25ppm
XFP336312.500000I Renesas晶振 312.500000 MHZ 3.3VDC LVPECL 322 XF 312.5 MHz LVPECL 3.3V ±25ppm
XFL336156.250000I Renesas晶振 156.250000 MHZ 3.3VDC LVDS 3225 XF 156.25 MHz LVDS 3.3V ±25ppm
XLH735010.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 10.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC73 10 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH735040.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 40.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC73 40 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH735012.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 12.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC73 12 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH330025.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC33 25 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH335025.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC33 25 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH530050.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC53 50 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH530012.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 12.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC53 12 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH535033.333000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 33.3330MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC53 33.333 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH535025.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC53 25 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH535024.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 24.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC53 24 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH535010.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 10.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC53 10 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH730050.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC73 50 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH730048.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 48.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC73 48 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH730001.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 1.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC73 1 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH735030.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 30.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC73 30 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH335001.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 1.0000MHZ HCMOS SMD XL 1 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH330016.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 16.0000MHZ HCMOS SMD XL 16 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH325020.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 20.0000MHZ HCMOS SMD XL 20 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH526020.000000X Renesas晶振 XTAL OSC XO 20.0000MHZ HCMOS SMD XL 20 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH325050.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC32 50 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH325025.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC32 25 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH330020.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 20.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC33 20 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH335048.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 48.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC33 48 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH335040.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 40.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC33 40 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH525025.000000I Renesas晶振 XTAL OSC XO 25.0000MHZ HCMOS SMD XPRESSO  FXO-HC52 25 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
3. 瑞薩的工作

在上一節(jié)所示的AD/ADAS中的AI開發(fā)流程中,判斷實(shí)際使用的DNN是否能夠在所配備的加速器上提供足夠的性能,通常需要在決定加速器配置的第三階段AI Accelerator Configuration中進(jìn)行決策。

傳統(tǒng)上,在這一階段的決策是通過使用類似加速器的現(xiàn)有SoC進(jìn)行的基準(zhǔn)測試結(jié)果來估計(jì)的,但對于因增加或改變功能而與現(xiàn)有SoC規(guī)格不同的部分,無法獲得基準(zhǔn)測試結(jié)果,因此無法通過高度精確的估計(jì)來確定是否能達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)。

瑞薩通過使用PPA Estimator (PPA是Performance, Power, Area的首字母)而不是現(xiàn)有的SoC基準(zhǔn)測試來解決這個(gè)課題。PPA Estimator通過使用反映加速器每個(gè)組件以及時(shí)鐘有源晶振設(shè)計(jì)的性能和功率計(jì)算模型,使性能和功耗在加速器配置最終確定之前得到估算。具體來說,列出可能的加速器配置(可改變的加速器參數(shù)的組合,如處理單元的數(shù)量和內(nèi)部存儲(chǔ)器的容量)進(jìn)行評(píng)估,選擇其中一個(gè)配置并與要評(píng)估的一個(gè)DNN一起輸入PPA Estimator中,以獲得所需的執(zhí)行時(shí)間和功耗。然后,可以針對所需評(píng)估的加速器配置和DNN的數(shù)量進(jìn)行重復(fù)操作,收集數(shù)據(jù),并找到最佳的加速器配置。如此,不僅可以確定一個(gè)特定的加速器配置和DNN組合是否有足夠的性能,而且還可以收集廣泛的數(shù)據(jù)并從中選擇最佳加速器配置。

此外,為了使第三階段AI Accelerator Configuration更加有效,瑞薩還通過將從PPA Estimator執(zhí)行結(jié)果中獲得的信息反饋給目標(biāo)DNN的網(wǎng)絡(luò)模型,并行改進(jìn)軟件方面的工作,也就是進(jìn)行硬件-軟件聯(lián)合設(shè)計(jì)(co-design)。AI Accelerator Configuration階段的工作流程如下圖2所示。圖5

圖2:AI Accelerator Configuration工作流程

Renesas瑞薩晶振已開始將PPA Estimator應(yīng)用于從2023年開始的一些帶有AI處理加速器的AD/ADAS的SoC的開發(fā)中,并計(jì)劃逐步擴(kuò)大應(yīng)用范圍。瑞薩將利用PPA Estimator的高度精確性能尋找最佳配置以開發(fā)高性能、低功耗的車載AI加速器。