EMI抗擾度運(yùn)算放大器和比較器應(yīng)用指南
包括智能手機(jī)和手機(jī)在內(nèi)的具有無線通信功能的電子設(shè)備近年來普及.因此,增加了電子設(shè)備受電波的影響.特別是,電磁波干擾EMI(電磁干擾)引起的電子電路故障成為嚴(yán)重的問題.許多電子設(shè)備使用的有源晶振大受其害.
EMI的故障是在特別影響人類生命的點(diǎn)(例如,飛機(jī)和汽車)上不得發(fā)生的現(xiàn)象.由于OP-Amp和比較器是電子電路的一部分,大多數(shù)傳統(tǒng)產(chǎn)品沒有采取RF信號(hào)干擾措施.因此,這些可能會(huì)引起RF信號(hào)的麻煩.
在這樣的環(huán)境中,諸如OP-Amp和比較器之類的設(shè)備需要具有對(duì)RF信號(hào)的高容限.因此,新日本無線電公司開發(fā)出用于射頻信號(hào)(幾百MHz至幾GHz)的高耐受性新石英晶振產(chǎn)品.
本文說明解釋了兩個(gè)項(xiàng)目.
EMI對(duì)運(yùn)算放大器和比較器的影響
EMIRR是EMI穩(wěn)健性的參數(shù)
1.EMI影響
RF信號(hào)通過器件電路的非線性干擾器件.當(dāng)超過設(shè)備工作頻帶的RF信號(hào)輸入到設(shè)備時(shí),DC輸入偏移電壓波動(dòng)并且可以在輸出上觀察到.
圖1和圖2顯示了運(yùn)算放大器和比較器的失調(diào)電壓偏移.當(dāng)RF信號(hào)從簡單天線照射到安裝有器件的測試板時(shí),器件的輸入偏移電壓波動(dòng),并導(dǎo)致輸出信號(hào)偏移或閾值電壓偏移.我們?cè)趯⒋爽F(xiàn)象稱為"偏移電壓偏移".這種"偏移電壓偏移"可能導(dǎo)致電子設(shè)備差分晶體振蕩器的故障.RF信號(hào)傳播到器件,引起偏移電壓偏移.
其中認(rèn)為的RF信號(hào)線包括PCB圖案,電纜,封裝的引線和器件的鍵合線.但是,由于RF信號(hào)的波長(例如,在2.4GHz處為13cm,在900MHz處為33cm)足夠長于封裝引線和焊線(幾毫米).PCB圖案或電纜通常用作天線,當(dāng)RF信號(hào)到達(dá)引腳時(shí),會(huì)引起偏移電壓偏移.
2.EMIRR(EMI抑制比)定義
EMIRR是指示器件的EMI穩(wěn)健性的參數(shù).EMIRR的定義由以下公式(1)給出.通過測量RF信號(hào)和偏移電壓偏移量可以掌握RF信號(hào)的容差.
偏移電壓偏移很小,因此EMIRR的值很大.它理解RF信號(hào)的容差很高.另外,關(guān)于RF信號(hào)的輸入偏移電壓偏移,有人認(rèn)為貼片晶振影響應(yīng)用于輸入終端占主導(dǎo)地位.因此,通常EMIRR變?yōu)閷?/span>RF信號(hào)施加到+IN端子的值.
3.EMIRR測量
圖3顯示了運(yùn)算放大器的EMIRR測量電路.在比較器的情況下,添加NULL放大器來測量偏移電壓.EMIRR測量需要SMA電纜和連接器來連接測試板和信號(hào)發(fā)生器,因?yàn)樗幚?/span>GHz頻帶的高頻信號(hào),測試板將RF信號(hào)傳輸?shù)轿Ь€的IC鄰域.+IN端子引腳應(yīng)為50Ω微帶線,以匹配電纜和RF發(fā)生器的RF阻抗.在PCB上使用50Ω端接.該終端電阻用作提供運(yùn)算放大器直流偏置的作用.并且,為了減少RF信號(hào)的影響,應(yīng)在輸出端子和電壓表之間插入低通貼片濾波器.將RF信號(hào)幅度(VRF_PEAK)設(shè)置為100mVP,將電壓增益(Gv)設(shè)置為101倍.
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