產(chǎn)品的溫度特性：

產(chǎn)品的溫度特性是指產(chǎn)品在不同溫度下的電性能變化情況，優(yōu)良產(chǎn)品的溫度特性呈光滑的三次曲線（AT切）或二次曲線（BT切），與理論曲線非常相似。主要影響因素是芯片的切型與切割角度，在石英芯片這一節(jié)中已有相關(guān)介紹，另外芯片加工過(guò)程的平面度（高頻）和修邊情況（低頻）也會(huì)影響產(chǎn)品的溫度特性。制程中芯片污染，電極偏位等也會(huì)對(duì)產(chǎn)品的溫度特性造成影響。

產(chǎn)品的可靠性（信賴性）：

產(chǎn)品的可靠性可以通俗的理解為：產(chǎn)品生產(chǎn)完成后，不會(huì)因常規(guī)的搬運(yùn)，儲(chǔ)存而使其性能受影響，不會(huì)因客戶的焊接，清洗和封裝等各種使用條件而影響性能。產(chǎn)品的可靠性可以通過(guò)各種可靠性試驗(yàn)來(lái)衡量，目前常見(jiàn)的可靠性試驗(yàn)有：

老化率試驗(yàn) TC 85±10℃；300 H

壽命試驗(yàn)（MTBF）；85℃or125℃；1000H；利用公式及失效產(chǎn)品數(shù)計(jì)算出產(chǎn)品模擬壽命。

高溫儲(chǔ)存試驗(yàn) 125℃±10℃；1000H±24H

溫度循環(huán)試驗(yàn) T1 = -55℃±10℃  T2= 125℃±10℃；循環(huán)次數(shù)10次。（溫度轉(zhuǎn)換約30分鐘）

可焊性（焊錫）試驗(yàn) 230±10℃；3 s

耐焊接試驗(yàn) 260±10℃；10 s

跌落試驗(yàn) 75 cm；3 次。

振動(dòng)試驗(yàn) 頻率10 Hz — 2000 Hz；振幅 1.5 mm；每方向 40 分鐘。

溫度沖擊試驗(yàn) T1 = -55℃±10℃  T2= 125℃±10℃；循環(huán)次數(shù)10次。（溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間5秒）

恒溫恒濕試驗(yàn)  TC 85±10℃ H 85% ；1000H±24H

在以上十項(xiàng)試驗(yàn)中，恒溫恒濕試驗(yàn)主要考察產(chǎn)品儲(chǔ)存時(shí)會(huì)不會(huì)出現(xiàn)外觀變異，是否會(huì)影響焊接，可焊性（焊錫）試驗(yàn)主要考察產(chǎn)品在客戶端使用時(shí)能否順利焊接到電路板上，只要原材料不出問(wèn)題，產(chǎn)品在制程中不嚴(yán)重超溫，無(wú)嚴(yán)重污染就不會(huì)有問(wèn)題。

跌落試驗(yàn)考察產(chǎn)品受機(jī)械力沖擊時(shí)的耐受情況，跌落試驗(yàn)不合格應(yīng)分兩各情況來(lái)處理，一是芯片破裂造成不良（高頻），應(yīng)檢查導(dǎo)電膠選用是否正確（較柔），底膠是否足夠，芯片在搭載時(shí)是否過(guò)低；另一各情況是脫膠，或稱膠點(diǎn)松動(dòng)，應(yīng)檢查烤膠工藝是否有問(wèn)題，芯片上下膠量是否足夠，上下膠連接處膠量是否飽滿。

其余試驗(yàn)主要是通過(guò)對(duì)比試驗(yàn)前后產(chǎn)品的電性能變化情況來(lái)衡量產(chǎn)品的可靠性，其中高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)，老化率試驗(yàn)和壽命試驗(yàn)考察產(chǎn)品的儲(chǔ)存條件與儲(chǔ)存時(shí)間；溫度循環(huán)試驗(yàn)和溫度沖擊試驗(yàn)考察產(chǎn)品在客戶端使用時(shí)對(duì)溫度變化的耐受情況。產(chǎn)品在制程中無(wú)明顯污染，銀層牢固，封焊時(shí)露點(diǎn)符合要求，檢漏無(wú)漏氣就能滿足要求。

常溫產(chǎn)品特性：

常溫產(chǎn)品特性有時(shí)也稱為室溫產(chǎn)品特性，一般是指產(chǎn)品在環(huán)境溫度為25℃，相對(duì)濕度為50%左右時(shí)所測(cè)量出來(lái)的電性能參數(shù)，主要是頻率，電阻，激勵(lì)功率相關(guān)性及電容比等指標(biāo)。

對(duì)于一條相對(duì)成熟的生產(chǎn)線來(lái)說(shuō)，產(chǎn)品在常溫下的頻率穩(wěn)定性一般不會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，比較常見(jiàn)的是產(chǎn)品的一致性（散差），尤其是高頻的小公差產(chǎn)品一致性往往不如人意。一致性考慮是多個(gè)產(chǎn)品的頻率公差，在測(cè)試系統(tǒng)中，觀察FL的正態(tài)分布圖可以很直觀的了解產(chǎn)品的一致，也可以使用儀器測(cè)試系統(tǒng)中的CPK計(jì)算功能，通過(guò)CPK來(lái)衡量產(chǎn)品的一致性。

因烤膠時(shí)間或溫度不正確也會(huì)造成頻率散差大，只是出現(xiàn)的概率較小，芯片原因造成頻率散差大一

般在微調(diào)工序就能反映出來(lái)。為比較及時(shí)的了解頻率的一致性，應(yīng)在封焊工序增加一個(gè)抽檢工站，以考查微調(diào)封焊后狀況，尤其能較早發(fā)現(xiàn)微調(diào)范圍或微調(diào)人員的個(gè)體差異。分析原因時(shí)一定要考慮各批次產(chǎn)品在制程中流動(dòng)的時(shí)間是否大致相同，且越短越好，這一點(diǎn)對(duì)于產(chǎn)品的DLD特性也影響很大。

激勵(lì)功率相關(guān)性主要是考察產(chǎn)品在不同激勵(lì)功率下的頻率或電阻及其變化量，目前SMD產(chǎn)品設(shè)定的最小激勵(lì)功率一般是0.01uW，最大激勵(lì)功率一般是200 uW，20M以上的優(yōu)良產(chǎn)品DLD2和FDLD應(yīng)小于1，12M左右的低頻產(chǎn)品DLD2特性稍差，但其中心值也應(yīng)低于8Ω。產(chǎn)品DLD出問(wèn)題時(shí)的分析圖請(qǐng)參照產(chǎn)品電阻大的分析圖，但有一點(diǎn)應(yīng)特別引起重視—產(chǎn)品封焊前在制程中的流動(dòng)速度越快越好，各工序產(chǎn)出應(yīng)盡量平衡，減少物料在各工序等待時(shí)間。

DLD2：電阻激勵(lì)功率相關(guān)性（RRMAX — RRMIN）。單位：歐姆Ω

RLD2：激勵(lì)功率范圍內(nèi)的最大電阻。

FDLD：頻率激勵(lì)功率相關(guān)性（FLMAX ——FL MIN）

DELF（FLR）：串并聯(lián)間隔（FL—Fr）

DLDH2：不同激勵(lì)功率下的電阻遲滯（同一激勵(lì)功率點(diǎn)前后兩次測(cè)試的ESR最大差值）。

常溫電阻特性主要是中心值與穩(wěn)定性。電阻中心值與控制上限的距離與產(chǎn)品的合格率息息相關(guān)，在測(cè)試系統(tǒng)中可以用平均值代替中心值，一般要求產(chǎn)品平均值是控制上限的50%左右。做制程改善時(shí)重點(diǎn)關(guān)注點(diǎn)膠與污染。

芯片不良在電阻大這一不良項(xiàng)中出現(xiàn)次數(shù)會(huì)比較多，特別是新的芯片供貨商或開(kāi)發(fā)新頻點(diǎn)時(shí)。

常溫下產(chǎn)品的頻率主要是觀察其穩(wěn)定性與一致性。穩(wěn)定性是相對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品而言，一方面要求產(chǎn)品在測(cè)試儀上重復(fù)測(cè)試時(shí)，頻率變化量要小，好產(chǎn)品頻率變化量可以小于±0.5ppm，與產(chǎn)品頻率高低及TS大小有關(guān)，一般情況下，頻率越高變化量越大，TS越大變化量越大，測(cè)量指標(biāo)一般是FL，若是FR則不存在TS的問(wèn)題；另一方面要求產(chǎn)品在電路中工作時(shí)不出現(xiàn)頻率漂移，也就是說(shuō)產(chǎn)品頻率不要跑到幾百甚至幾千ppm去，一般情況下只有高頻（27M以上）產(chǎn)品才會(huì)有這個(gè)問(wèn)題，尤其是3RD產(chǎn)品。

如果頻率不穩(wěn)定，偏移的幅度上百ppm或同時(shí)伴有C0偏小現(xiàn)象，應(yīng)考慮膠點(diǎn)是否松動(dòng)。

通常產(chǎn)品在常溫下的電阻要比頻率更穩(wěn)定，其變化量更容易控制在±0.5Ω以內(nèi)，一般只有高頻產(chǎn)品或3RD產(chǎn)品會(huì)出現(xiàn)此類問(wèn)題，如果產(chǎn)品有此類現(xiàn)象往往歸在可靠性中分析。