A．根據(jù)經(jīng)驗及晶體本身的特性總結(jié)出：

1、在使用過程中，外圍匹配電容（包括雜散電容）愈接近晶體標(biāo)稱電容，電路形成的振蕩頻率愈接近標(biāo)稱頻率。電路的穩(wěn)定性由晶體本身和外圍電路共同決定，最佳電路應(yīng)讓工作頻率高與標(biāo)準(zhǔn)頻率8PPM左右，因為頻率每年都要下降3PPM左右即年老化率，這樣才能保證電路中振蕩頻率在5年內(nèi)準(zhǔn)確度很高；

2、晶體在使用中還要具有一定的溫度穩(wěn)定性和抗震性及可焊性，如何實現(xiàn)？

1）提高晶片加工精度，降低晶體封閉殼中氮氣的露點，通過高低溫測試試驗；

2）生產(chǎn)上，用優(yōu)質(zhì)膠，點勻和及時烤膠，檢查剔除有崩邊的晶片，通過跌落和機械振動測試（100-20000G）試驗,提高包裝保護；

3）同時增加240±10℃和5S條件下的耐高溫測試。

B． 晶振的作用是產(chǎn)生時鐘信號，晶體諧振器與其它器件共同組成晶體振蕩器。

C．晶體振蕩器分直插（DIP-14,DIP-8）和SMD貼片。

直插式的一般為非三態(tài)線路，有需求可選三態(tài)規(guī)格，SMD式的為三態(tài)線路輸出。在使用中DIP系列1#角在無特殊說明時為斷開的，靜電對DIP破壞性較小。SMD系列1#角內(nèi)部相連，外接時需斷開，靜電對其破壞最大，容易擊穿IC，須作靜電保護；另外，SMD系列晶振在焊接過程中不要溫度過高，時間過長，一般控制在260℃±5℃，少于5秒。還應(yīng)注意SMD晶振兩側(cè)有的會有DLD測試線，焊接時不能與任意焊點相連。晶振在使用中電壓分5V，3.3V，1.8V等不能兼容，否則會不穩(wěn)定。

D．隨著石英晶振的被廣泛應(yīng)用到各種高端設(shè)備中，對其要求也越來越高，壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補晶體振蕩器（TCXO）及恒溫晶體振蕩器（OCXO）的需求逐步上升。VCXO是可以利用電壓變化來調(diào)整輸出頻率。（VT-TCXO壓控溫補振蕩器）TCXO是包含一個溫度感應(yīng)電路，在溫度發(fā)生變化是調(diào)整輸出頻率，是輸出的頻率隨溫度變化的偏差降低了，從而使其在一定的溫度范圍內(nèi)保持較高的頻率穩(wěn)定度，一般精度要求在0-3PPM之內(nèi)的做成這種。OCXO具有更高的穩(wěn)定性，而且有更低的相位噪聲，精度更高，它是通過內(nèi)部的恒溫槽維持晶體溫度的穩(wěn)定。

E．晶體諧振器，要達到穩(wěn)定性好，要求串聯(lián)諧振電阻既要小又要一致性好，同時激勵功率變化帶來的阻抗變量越小，晶體的諧振點容易一致，這樣外圍電路調(diào)試比較容易，使產(chǎn)品更穩(wěn)定，那么具體如何實現(xiàn)呢？

a，用Q值（Q值是等效電路中動態(tài)臂諧振時的品質(zhì)因數(shù)，振蕩電路所能獲得的最大穩(wěn)定性直接與電路中晶體的Q值相關(guān)。Q值越高，晶體帶寬越小，電抗值變化越陡，外部電抗對晶體影響越?。└叩乃Р牧?，能降低串聯(lián)電阻，同時控制膠量的勻稱性；

b，要求生產(chǎn)車間凈化程度很高，能減少本體之外的灰塵附著物帶來的干擾，降低阻抗變量；

c，成品測試將并聯(lián)諧振電阻和DLD值（功率改變引起的阻抗變量）控制在相對更小的范圍內(nèi)。

晶振的檢驗技術(shù)和質(zhì)量控制

（一）石英晶體振蕩器：這種產(chǎn)品的在控制上我公司更是相當(dāng)?shù)膰栏瘢瑢γ恳豁梾?shù)都要求是最高的，所有產(chǎn)品參數(shù)我們都會用PRA1020測試儀器進行測試控制。另外除了對行業(yè)參數(shù)所控制的范圍，進行加嚴控制，我們還會進一步增加更為全面的測試要求，比如一般的標(biāo)準(zhǔn)電壓是5V或是3.3V,除了要在標(biāo)準(zhǔn)電壓下保證誤差，參數(shù)正常，我們還會在上下限電壓進行參數(shù)測試，5V晶振會測到4.5V和5.5V電壓下的頻率誤差，3.3V晶振會測到2.97V和3.63V電壓下的頻率誤差，同時控制其一致性，現(xiàn)場觀看測試過程及測試數(shù)據(jù)表。不同客戶不同要求，客戶可以直接觀看篩選過程。

其他SMD晶振系列不再一一列舉。

 (二）晶體諧振器：常規(guī)標(biāo)準(zhǔn)是頻率+/-30PPM,加嚴控制為+/-20PPM阻抗因頻率不同而變，2007年以前:B表格，今天參數(shù)控制是A表格所顯示的：

A表格

49S晶體                     49U晶體

頻率           阻值          頻率          阻值

3.579545M      ≤95Ω        1.8432M       ≤300Ω

3.6864M        ≤80Ω        2.097152M     ≤200Ω

4.000M/4.032M  ≤80Ω        3.072M        ≤90Ω

4.096M         ≤75Ω        3.200M        ≤60Ω

4.433619M      ≤70Ω        3.579545M     ≤65Ω

4.8970M        ≤65Ω        4M            ≤40Ω

5.000M         ≤60Ω        5.000MM       ≤30Ω

5.350M         ≤50Ω        6.000M        ≤20Ω

6.000M         ≤40Ω        6.144M        ≤20Ω

6.9567M-10M    ≤30Ω        10.000M       ≤20Ω

10.6M          ≤20Ω        11.0592M      ≤15Ω

10.8M          ≤25Ω        15.360M       ≤12Ω

11.0592M       ≤25Ω        18.432M       ≤10Ω

12.000M-18.432M     ≤15Ω        20.000M       ≤10Ω

20.000M-24.576M     ≤12Ω

25.000M-27.2M     ≤10Ω

28.224M        ≤11Ω

28.322M        ≤12Ω

30.000M-36.864M     ≤15Ω

37.998M        ≤20Ω

38.897M        ≤20Ω

48.000M        ≤45Ω

B表格

49S晶體                    49U晶體

頻率          阻值          頻率          阻值

3.579545M /4M     ≤120Ω       1.8432M       ≤500Ω

4.1M~5M       ≤90Ω        2M            ≤300Ω

5.1M~8M       ≤60Ω        2.4576M       ≤150Ω

8.1M~10M      ≤50Ω        3M/3.2768M    ≤120Ω

10.1M~12M     ≤40Ω        3.579545M     ≤90Ω

12.1M~30M     ≤30Ω        4M            ≤80Ω

30M以上       ≤30Ω        4.1M~6M       ≤60Ω

48M(泛音)     80-100        6.1M~7M       ≤50Ω

    8M~10M        ≤40Ω

    10.1M~20      ≤30Ω

（三）表晶，常規(guī)標(biāo)準(zhǔn)頻率誤差是+/-20PPM，阻抗是30-40KΩ，但我們實際檢驗控制為：Φ3*8分為A:±5PPM /15KΩ，B:±10PPM /15KΩ，C:±15PPM /18KΩ；Φ2*6（32.768K)分為A:±5PPM /25KΩ，B:±10PPM /28KΩ，C:±15PPM /30KΩ。客戶可以根據(jù)需求選擇表晶，要求高的可以選擇誤差和阻抗小的，如A或B。

另外，為了追求晶振的高穩(wěn)定性，我們對晶振還要進行抗震性和溫度的電性能測試，在公司備有專業(yè)的高低溫沖擊測試箱，可以進行冷熱溫度沖擊，測試晶振的耐溫能力；有抗沖擊實驗設(shè)備—LD振動臺，對晶振的抗震性進行試驗測試。我們還將準(zhǔn)備增設(shè)帶電工作高低溫48小時老化控制設(shè)備。我們公司的宗旨就是把我們冠杰電子的產(chǎn)品做到精益求精，實現(xiàn)滿足客戶的高質(zhì)量的要求，讓冠杰電子所產(chǎn)晶振真正成為客戶首選。

此外，單單要嚴格要求這些參數(shù)，還是不夠的，我們在其他參數(shù)包括DLD值，Q值等等，對這些參數(shù)我們通過權(quán)威檢測儀器250B進行檢測和控制，確?？蛻艨梢杂玫劫|(zhì)量最好的晶體器件。