從晶片研發(fā)，到晶振電路的設(shè)計(jì)，冠杰電子已經(jīng)有了實(shí)際的技術(shù)和開發(fā)生產(chǎn)能力，現(xiàn)將一些石英晶振設(shè)計(jì)電路，匹配電容，匹配IC，振蕩模式，驅(qū)動(dòng)電壓，驅(qū)動(dòng)功率和焊接溫度曲線等應(yīng)用技術(shù)公布，希望在此能幫助到一些有需要的公司和設(shè)計(jì)人士。

晶振|振蕩頻率和負(fù)載電容（CL）

負(fù)載電容（CL）是一個(gè)確定的晶振|振蕩電路的頻率參數(shù)。 CL是代表一個(gè)有效的等效電容，加載從晶振|振蕩電路的晶體單元的兩端（見圖12）。

 晶振|振蕩頻率會(huì)有所不同，這取決于負(fù)載電容

晶振|振蕩電路。為了獲得理想的頻率精度，SMD晶振|振蕩電路的負(fù)載電容和晶體單元之間的匹配是必需的。為使用的晶體單元，配合晶體單元的負(fù)載電容的晶振|振蕩電路的負(fù)載電容。
頻率溫度曲線

音叉晶振的頻率溫度特性的負(fù)二次曲線，其中有一個(gè)高峰期在25ºC每左圖所示。

請確保你所需要的溫度范圍和頻率精度考慮，因?yàn)轭l率的幅度變化變得越來越大，溫度范圍變寬。
[頻率溫度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A：拋物系數(shù)   T：給定的溫度

             鈦成交額溫度的

石英晶振|振蕩電路的設(shè)計(jì)概述

晶振|振蕩電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵參數(shù)
驅(qū)動(dòng)級（DL），晶振|振蕩頻率和負(fù)載電容（CL）
晶振|振蕩模式，頻率溫度曲線
晶振驅(qū)動(dòng)級（DL）

晶體單元的驅(qū)動(dòng)器的運(yùn)行功率或電流消耗水平（參見圖9,10和11）所示。晶體單元操作的權(quán)力過大，水平，將導(dǎo)致其特點(diǎn)，這可能會(huì)導(dǎo)致晶體芯片的頻率不穩(wěn)定或物理故障的退化。你的電路設(shè)計(jì)在絕對最大驅(qū)動(dòng)電平。

振蕩津貼

為了確保穩(wěn)定的振蕩電路的負(fù)電阻應(yīng)該顯著高于等效串聯(lián)電阻較大的（振蕩津貼是大）。確保振蕩津貼，是至少5倍的等效串聯(lián)電阻大。
振蕩津貼的評價(jià)方法
加入電阻“RX”系列表晶單元，并確保該振蕩啟動(dòng)或停止。近似的負(fù)阻電路是通過增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振蕩啟動(dòng)或停止后，逐漸使Rx值較大時(shí)，得到的值。
負(fù)阻 - R的|= RX+復(fù)
|-R的是一個(gè)至少5倍作為最大的晶體單元的等效串聯(lián)電阻（R1的最大值）。大的價(jià)值。
* Re為振蕩過程中的有效電阻值。
RE = R1（1+ CO/ CL的）2

冠杰電子：在日夜不斷發(fā)展成長，從民用晶體、、工業(yè)晶振、軍用晶振，從插件晶振、貼片晶振、陶瓷霧化片、衛(wèi)星導(dǎo)航、聲表面濾波器系列。