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SiTime晶振,硅晶振,SiT2002晶振,SiT2002B晶振

SiTime晶振,硅晶振,SiT2002晶振,SiT2002B晶振

頻率:115~137MHZ 尺寸:2.9*2.8mm 由于SiTime石英晶體振蕩器的體積相較于普通石英晶振,石英晶體要大,頻率范圍較廣,晶體振蕩器電源電壓更多選擇,性能佳,相位噪音較低.

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SiTime晶振,可編程晶體振蕩器,SiT2001B晶振

SiTime晶振,可編程晶體振蕩器,SiT2001B晶振

頻率:1~110MHZ 尺寸:2.9*2.8mm 與普通石英晶振,石英晶體,石英振蕩器相比,SiTime的MEMS振蕩器提供了更高的性能.由于石英設(shè)備針對特定的參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,因此無法提供基于內(nèi)存的解決方案提供的組合性能和特性

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京瓷晶振,7050振蕩器,KC7050P晶振

京瓷晶振,7050振蕩器,KC7050P晶振

頻率:25~175MHZ   尺寸:7.0×5.0mm    進(jìn)口品牌貼片晶振中小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在不同的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì)

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京瓷晶振,7050有源晶振,KC7050G晶振

京瓷晶振,7050有源晶振,KC7050G晶振

頻率:10~900MHZ   尺寸:7.0×5.0mm    進(jìn)口品牌貼片晶振中小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在不同的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì)

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京瓷晶振,5032有源晶振,KC5032P晶振

京瓷晶振,5032有源晶振,KC5032P晶振

頻率:25~175MHZ   尺寸:5.0×3.2mm    進(jìn)口品牌貼片晶振中小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在不同的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì)

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京瓷晶振,3225有源晶振,KC3225L晶振

京瓷晶振,3225有源晶振,KC3225L晶振

頻率:25~175MHZ   尺寸:3.2×2.5mm    進(jìn)口品牌貼片晶振中小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在不同的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì)

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京瓷晶振,無線KHZ晶振,KC3215A晶振

京瓷晶振,無線KHZ晶振,KC3215A晶振

頻率:32.768KHZ   尺寸:3.2×1.5mm    進(jìn)口品牌貼片晶振中小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在不同的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì)

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京瓷晶振,KHZ車載晶振,KC2520M晶振

京瓷晶振,KHZ車載晶振,KC2520M晶振

頻率:32.768KHZ   尺寸:2.5×2.0mm  VCXO應(yīng)用:智能手機(jī)晶體,無線基站,精密儀器,GPS衛(wèi)星,汽車應(yīng)用等,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

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京瓷晶振,KHZ有源晶振,KC2520B晶振

京瓷晶振,KHZ有源晶振,KC2520B晶振

頻率:32.768KHZ   尺寸:2.5×2.0mm  VCXO應(yīng)用:智能手機(jī)晶體,無線基站,精密儀器,GPS衛(wèi)星,汽車應(yīng)用等,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

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京瓷晶振,壓控振蕩器,KV7050R晶振

京瓷晶振,壓控振蕩器,KV7050R晶振

頻率:10.0~900.0MHZ   尺寸:7.0×5.0mm  VCXO應(yīng)用:智能手機(jī)晶體,無線基站,精密儀器,GPS衛(wèi)星,汽車應(yīng)用等,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

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京瓷晶振,VCXO振蕩器,KV7050G晶振

京瓷晶振,VCXO振蕩器,KV7050G晶振

頻率:10.0~900.0MHZ   尺寸:7.0×5.0mm  VCXO應(yīng)用:智能手機(jī)晶體,無線基站,精密儀器,GPS衛(wèi)星,汽車應(yīng)用等,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

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京瓷晶振,VCXO溫補(bǔ)晶振,KV7050C晶振

京瓷晶振,VCXO溫補(bǔ)晶振,KV7050C晶振

頻率:80.0~170.0MHZ   尺寸:7.0×5.0mm  VCXO應(yīng)用:智能手機(jī)晶體,無線基站,精密儀器,GPS衛(wèi)星,汽車應(yīng)用等,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

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計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

數(shù)十億個(gè)計(jì)時(shí)設(shè)備用于每天影響我們生活的電子系統(tǒng)。幾十年來,石英計(jì)時(shí)器件一直是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。但它們體積龐大,可靠性較低,并且在環(huán)境壓力下無法正常工作。Quartz 未能跟上大規(guī)模的技術(shù)爆炸?,F(xiàn)在是時(shí)候打破舊的 quartz 技術(shù)并構(gòu)建可以塑造我們未來的計(jì)時(shí)解決方案了。SiTime晶振的 MEMS 定時(shí)器件就是這樣誕生的。SiTime晶振的 MEMS 器件由硅制成(石英不是)。它使SiTime晶振能夠利用半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢,例如更高的質(zhì)量、最新的封裝創(chuàng)新以及無需大量投資即可快速擴(kuò)展的能力。
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