希華晶振，石英晶振，CSX-1612晶振，在十年的時(shí)間里希華晶振科技刻苦專(zhuān)研，開(kāi)發(fā)大量新產(chǎn)品，正式從原始普通石英晶體諧振器，慢慢的步入SMD貼片晶振，有源貼片晶振領(lǐng)域，并且成功在1998年回到祖國(guó)的懷抱，到了沒(méi)了的中國(guó)廣東省東莞市投資建廠。
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù)：是超小型、超低頻石英晶體諧振器元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問(wèn)題，為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。世界級(jí)小型SMD晶體,金屬面4P石英晶振,CSX-1612晶振

操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.希華晶振,石英晶振,CSX-1612晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用臺(tái)灣晶振.這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障.請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生.
激勵(lì)功率
在晶振上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）.
負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）.世界級(jí)小型SMD晶體,金屬面4P石英晶振,CSX-1612晶振
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.

希華晶振承諾所有的運(yùn)作皆遵守本地國(guó)家的法律，臺(tái)灣希華晶振并符合國(guó)際上所共同認(rèn)知環(huán)保與社會(huì)責(zé)任的標(biāo)準(zhǔn)，成為一個(gè)創(chuàng)造股東最大權(quán)益、照顧員工、善盡社會(huì)責(zé)任的好公司。希華晶振,石英晶振,CSX-1612晶振
希華晶振科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念，執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作；落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著，1612mm晶振不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求，同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。
并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書(shū)面、辦法書(shū)之對(duì)應(yīng)關(guān)系，包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述。本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù)。
環(huán)境管理體系：希華晶振公司在每一個(gè)運(yùn)行部門(mén)，實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具。我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障。每年我們都將建立可測(cè)量的小尺寸晶振環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo)。世界級(jí)小型SMD晶體,金屬面4P石英晶振,CSX-1612晶振