鴻星晶振，貼片晶振，E49B晶體，鴻星晶振有限公司于1979年成立，產(chǎn)品由專業(yè)石英晶振，貼片晶振，電阻器、電容器制造廠，公元1991年于臺(tái)灣投入石英晶振的研發(fā)制造、1991年開(kāi)始在中國(guó)大陸拓展生產(chǎn)基地，至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營(yíng)銷(xiāo)及FAE據(jù)點(diǎn)及十個(gè)營(yíng)銷(xiāo)代表處。進(jìn)口貼片石英晶體,無(wú)源49SMD晶振,E49B晶振

鴻星石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.鴻星晶振,貼片晶振,E49B晶體
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.進(jìn)口貼片石英晶體,無(wú)源49SMD晶振,E49B晶振
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞進(jìn)口晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

提供從材料的選定到廢棄過(guò)程中考慮環(huán)境質(zhì)量的E49B晶振。加強(qiáng)制度建設(shè)，深化環(huán)境監(jiān)管，向環(huán)境污染宣戰(zhàn)，促進(jìn)經(jīng)濟(jì)與環(huán)境協(xié)調(diào)發(fā)展。
鴻星晶振科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行，以整合內(nèi)部資源，奠定經(jīng)營(yíng)管理的基礎(chǔ)。
本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù)。進(jìn)口貼片石英晶體,無(wú)源49SMD晶振,E49B晶振
在49SMD-電子水表晶振的整個(gè)生命周期內(nèi)確定、評(píng)價(jià)和改進(jìn)重要的環(huán)境、健康和安全因素。
鴻星晶振科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行，以整合內(nèi)部資源，奠定經(jīng)營(yíng)管理的基礎(chǔ)。
鴻星晶振集團(tuán)充分認(rèn)識(shí)加強(qiáng)環(huán)境保護(hù)工作的重要性和緊迫性，把環(huán)境保護(hù)擺在更加重要的戰(zhàn)略位置，以對(duì)國(guó)家、對(duì)民族
對(duì)子孫后代高度負(fù)責(zé)的精神，切實(shí)做好環(huán)境保護(hù)工作，鴻星貼片晶振推動(dòng)經(jīng)濟(jì)社會(huì)全面協(xié)調(diào)可持續(xù)發(fā)展。鴻星晶振,貼片晶振,E49B晶體