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: NSK晶振,陶瓷晶振,NRTZTT晶振

尺寸:10x5mm 頻率:1.8~50MHZ,

插件三腳陶瓷晶振跟貼片的區(qū)別在于SMD是編帶方式包裝,焊接方面支持表面貼裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)高速安裝,是指晶振內(nèi)部本身有自帶負(fù)載電容的陶瓷諧振器, “壓電陶瓷”, 與CR,LC電路不同,陶瓷振蕩子利用的是機(jī)械諧振而不是像壓電石英晶體一樣電諧振的方式起振.這意味著它基本上不受外部電路或電源電壓波動(dòng)的影響.從而可以制作成無(wú)需調(diào)整的高度穩(wěn)定的振蕩電路.

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: NSK晶振,貼片式陶瓷晶振,NREZTTCV晶振

尺寸:3.7x3.1mm 頻率:2.0M~50MHZ,

對(duì)于貼片陶瓷晶振本身內(nèi)置帶有負(fù)載電容的,我們都稱呼為帶電容陶瓷晶振,或者是ZTT陶瓷晶振,產(chǎn)品特性具有對(duì)激勵(lì)信號(hào)頻率十分敏感的突出特點(diǎn),當(dāng)外加的交流電場(chǎng)的頻率和諧振器的諧振頻率發(fā)生共振時(shí),電能和機(jī)械能的轉(zhuǎn)換會(huì)發(fā)生在諧振器的諧振頻率上.高頻諧振器內(nèi)建電容貼片 ZTTC 貼片 SMD 陶瓷諧振器的內(nèi)置電容,而 ZTAC 則不含電容.ZTTC/ZTAC（與 Murata CSAC/CSTC 系列相容）的頻率范圍在 2.0MHz 至 50.00MHz,頻率公差為 ±0.5％.

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: NSK晶振,陶瓷諧振器,NREZTTCC晶振

尺寸:7.4x3.4mm 頻率:2.0M~50MHZ,

對(duì)于貼片陶瓷晶振本身內(nèi)置帶有負(fù)載電容的,我們都稱呼為帶電容陶瓷晶振,或者是ZTT陶瓷晶振,產(chǎn)品特性具有對(duì)激勵(lì)信號(hào)頻率十分敏感的突出特點(diǎn),當(dāng)外加的交流電場(chǎng)的頻率和諧振器的諧振頻率發(fā)生共振時(shí),電能和機(jī)械能的轉(zhuǎn)換會(huì)發(fā)生在諧振器的諧振頻率上.高頻諧振器內(nèi)建電容貼片 ZTTC 貼片 SMD 陶瓷諧振器的內(nèi)置電容,而 ZTAC 則不含電容.ZTTC/ZTAC（與 Murata CSAC/CSTC 系列相容）的頻率范圍在 2.0MHz 至 50.00MHz,頻率公差為 ±0.5％.

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: NSK晶振,陶瓷晶振,NRDZTACV晶振

尺寸:3.7x3.1mm 頻率:2.0M~50MHZ,

對(duì)于貼片陶瓷晶振本身內(nèi)置帶有負(fù)載電容的,我們都稱呼為帶電容陶瓷晶振,或者是ZTT陶瓷晶振,產(chǎn)品特性具有對(duì)激勵(lì)信號(hào)頻率十分敏感的突出特點(diǎn),當(dāng)外加的交流電場(chǎng)的頻率和諧振器的諧振頻率發(fā)生共振時(shí),電能和機(jī)械能的轉(zhuǎn)換會(huì)發(fā)生在諧振器的諧振頻率上.高頻諧振器內(nèi)建電容貼片 ZTTC 貼片 SMD 陶瓷諧振器的內(nèi)置電容,而 ZTAC 則不含電容.ZTTC/ZTAC（與 Murata CSAC/CSTC 系列相容）的頻率范圍在 2.0MHz 至 50.00MHz,頻率公差為 ±0.5％.

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: NSK晶振,陶瓷晶振,ZTACS(MT/MX)晶振

尺寸:4.7x4.1mm 頻率:2.0M~50MHZ,

對(duì)于貼片陶瓷晶振本身內(nèi)置帶有負(fù)載電容的,我們都稱呼為帶電容陶瓷晶振,或者是ZTT陶瓷晶振,產(chǎn)品特性具有對(duì)激勵(lì)信號(hào)頻率十分敏感的突出特點(diǎn),當(dāng)外加的交流電場(chǎng)的頻率和諧振器的諧振頻率發(fā)生共振時(shí),電能和機(jī)械能的轉(zhuǎn)換會(huì)發(fā)生在諧振器的諧振頻率上.高頻諧振器內(nèi)建電容貼片 ZTTC 貼片 SMD 陶瓷諧振器的內(nèi)置電容,而 ZTAC 則不含電容.ZTTC/ZTAC（與 Murata CSAC/CSTC 系列相容）的頻率范圍在 2.0MHz 至 50.00MHz,頻率公差為 ±0.5％.

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: NSK晶振,陶瓷諧振器,NRDZTACC晶振

尺寸:7.4x3.4mm 頻率:2.0M~50MHZ,

使用陶瓷晶振,客戶可實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn).與CR,LC電路不同,陶瓷振蕩子利用的是機(jī)械諧振而不是電諧振.這意味著它基本上不受外部電路或電源電壓波動(dòng)的影響.從而可以制作成無(wú)需調(diào)整的高度穩(wěn)定的振蕩電路.

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: NSK晶振,陶瓷諧振器,NRAZTA晶振

尺寸:10.0x5.0mm 頻率:1.8M~50MHZ,

使用陶瓷晶振,客戶可實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn).與CR,LC電路不同,陶瓷振蕩子利用的是機(jī)械諧振而不是電諧振.這意味著它基本上不受外部電路或電源電壓波動(dòng)的影響.從而可以制作成無(wú)需調(diào)整的高度穩(wěn)定的振蕩電路.

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: NSK晶振,有源晶振,壓控晶振,NAVH-6晶振

尺寸：5.0x3.2mm 頻率:12MHz ~ 35.328MHz, NSK貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

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: NSK晶振,有源晶振,壓控晶振,NAVD-6晶振

尺寸：7.0x5.0mm 頻率:1.0M~52MHZ, NSK壓控晶振（VCXO）壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無(wú)鉛

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: NSK晶振,有源晶振,NAOL22晶振

尺寸：2.5x2.0mm 頻率:2M~50MHZ, 有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要

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: NSK晶振,有源晶振,NAOK32晶振

尺寸:3.2x2.5mm 頻率:2M~54MHZ, NSK貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

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: NSK晶振,有源晶振,32.768K晶振,NAOK晶振

尺寸：3.2x2.5mm 頻率:32.768KZ, NSK小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

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新聞資訊

計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟: 計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

數(shù)十億個(gè)計(jì)時(shí)設(shè)備用于每天影響我們生活的電子系統(tǒng)。幾十年來(lái)，石英計(jì)時(shí)器件一直是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。但它們體積龐大，可靠性較低，并且在環(huán)境壓力下無(wú)法正常工作。Quartz 未能跟上大規(guī)模的技術(shù)爆炸?，F(xiàn)在是時(shí)候打破舊的 quartz 技術(shù)并構(gòu)建可以塑造我們未來(lái)的計(jì)時(shí)解決方案了。SiTime晶振的 MEMS 定時(shí)器件就是這樣誕生的。SiTime晶振的 MEMS 器件由硅制成（石英不是）。它使SiTime晶振能夠利用半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢(shì)，例如更高的質(zhì)量、最新的封裝創(chuàng)新以及無(wú)需大量投資即可快速擴(kuò)展的能力。
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