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: Raltron晶振,時(shí)鐘振蕩器,CO1晶振

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: Raltron晶振,貼片振蕩器,CLP晶振

頻率:0.75~ 800.00MHz 尺寸:7.0*5.0mm 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高

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頻率:150.000 ~ 320.00MHz 尺寸:7.0*5.0mm 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高

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: Raltron晶振,有源晶振,CLDL晶振

頻率:150.000 ~ 320.00MHz 尺寸:7.0*5.0mm 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高

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: Raltron晶振,有源晶振,CLDP晶振

頻率:50.000~315.000MHz 尺寸:7.0*5.0mm 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高

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頻率:50.000~315.000MHz 尺寸:7.0*5.0mm 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高

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: Raltron晶振,有源晶振,C9P晶振

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: Raltron晶振,普通有源晶振,HCMOS時(shí)鐘晶振

頻率:4.000~30.000 MHz 尺寸:7.0*5.0mm 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高

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: Raltron晶振,普通有源晶振,COM1晶振

頻率：1.544 MHz TO 60.000 MHz 尺寸：3.2*2.5mm 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高

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: Raltron晶振,進(jìn)口振蕩器,CL7050晶振

頻率：19.000 ~ 800.000 MHz 尺寸：7.0*5.0mm 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器

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: Raltron晶振,進(jìn)口振蕩器,CL5032晶振

頻率：19.000 ~ 200.000 MHz 尺寸：5.0*3.2mm 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器

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計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟: 計(jì)時(shí)器件是數(shù)字電子產(chǎn)品的心臟

數(shù)十億個(gè)計(jì)時(shí)設(shè)備用于每天影響我們生活的電子系統(tǒng)。幾十年來(lái)，石英計(jì)時(shí)器件一直是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。但它們體積龐大，可靠性較低，并且在環(huán)境壓力下無(wú)法正常工作。Quartz 未能跟上大規(guī)模的技術(shù)爆炸?，F(xiàn)在是時(shí)候打破舊的 quartz 技術(shù)并構(gòu)建可以塑造我們未來(lái)的計(jì)時(shí)解決方案了。SiTime晶振的 MEMS 定時(shí)器件就是這樣誕生的。SiTime晶振的 MEMS 器件由硅制成（石英不是）。它使SiTime晶振能夠利用半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢(shì)，例如更高的質(zhì)量、最新的封裝創(chuàng)新以及無(wú)需大量投資即可快速擴(kuò)展的能力。
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