IDT晶振,VCXO晶振,8N3QV01晶振
IDT晶振,VCXO晶振,8N3QV01晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要..
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)
型號(hào) |
8N3QV01(VCXO) |
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輸出頻率范圍 |
15.476MHz to 866.67MHz , 975MHz to 1,300MHz |
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電源電壓范圍 |
2.5 to 3.3V |
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電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) |
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待機(jī)時(shí)電流 |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
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負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
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長(zhǎng)期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6?±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |


自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊:
石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
(2)陶瓷封裝貼片晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。IDT晶振,VCXO晶振,8N3QV01晶振


IDT 晶振環(huán)境影響的最小化:遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實(shí)現(xiàn)這一承諾.
環(huán)境管理體系:在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo).
環(huán)境行為評(píng)價(jià):評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績(jī).我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).
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- 599CDC000215DGR|6G以太網(wǎng)晶振|Si599有源晶振|思佳訊壓控晶振
599CDC000215DGR|6G以太網(wǎng)晶振|Si599有源晶振|思佳訊壓控晶振,尺寸7.0*5.0mm,頻率27MHZ,電壓3.3V,輸出邏輯CMOS,CMOS輸出晶振,CMOS有源晶體振蕩器,VCXO壓控晶振,壓控晶體振蕩器,CMOS貼片型振蕩器,OSC貼片振蕩器,SMD壓控振蕩器,低電壓壓控晶振,高性能有源晶振,高品質(zhì)有源晶振,低損耗有源晶振,低相位有源振蕩器,低功耗有源晶振,低相噪有源晶振,以太網(wǎng)壓控晶振,光纖通道有源晶振,平板電腦有源晶振,藍(lán)牙模塊有源晶振,無線通信有源晶振,網(wǎng)絡(luò)設(shè)備有源晶振,娛樂設(shè)備有源晶振,具有高性能高品質(zhì)低電壓的特點(diǎn).
Si598 XO/Si599 VCXO壓控晶體振蕩器采用Skyworks Solutions的先進(jìn)DSPLL®電路,以提供任何頻率的低抖動(dòng)時(shí)鐘。它們可由用戶編程為10至810MHz的任何輸出頻率,每萬億(PPT)分辨率。該設(shè)備通過2引腳I2C兼容進(jìn)行編程串行接口。寬頻率范圍和超精細(xì)編程分辨率使這些設(shè)備成為需要電路內(nèi)動(dòng)態(tài)頻率的應(yīng)用的理想選擇,具有非整數(shù)相關(guān)速率的調(diào)整或多速率操作.599CDC000215DGR|6G以太網(wǎng)晶振|Si599有源晶振|思佳訊壓控晶振.
- Skyworks壓控晶振-595CD40M0000DGR-Si595有源振蕩器-6G無線晶振
Skyworks壓控晶振-595CD40M0000DGR-Si595有源振蕩器-6G無線晶振,尺寸7.0*5.0mm,頻率40MHZ,輸出邏輯CMOS,有源貼片晶振,CMOS輸出有源晶振,VCXO壓控晶振,CMOS貼片型振蕩器,壓控晶體振蕩器,OSC貼片振蕩器,SMD振蕩器,低電壓有源晶振,低損耗有源晶振,低相位有源振蕩器,低功耗有源晶振,低相噪有源晶振,高性能有源晶振,高質(zhì)量有源晶振,網(wǎng)絡(luò)設(shè)備有源晶振,娛樂設(shè)備有源晶振,時(shí)鐘恢復(fù)有源晶振,光纖接入壓控晶振,具有低抖動(dòng)低電壓低功耗的特點(diǎn).
Si595 VCXO利用Skyworks Solutions的先進(jìn)DSPLL®電路在高頻下提供低抖動(dòng)時(shí)鐘。Si595貼片晶體振蕩器具有從10到810MHz的任何速率輸出頻率。與傳統(tǒng)的VCXO不同,其中每個(gè)輸出頻率需要不同的晶體,Si595使用一個(gè)固定晶體來提供寬范圍的輸出頻率。這種基于IC的方法允許晶體諧振器提供卓越的性能頻率穩(wěn)定性和可靠性。此外,DSPLL時(shí)鐘合成提供電源噪聲抑制,簡(jiǎn)化了生成低抖動(dòng)的任務(wù)噪音環(huán)境中的時(shí)鐘。Skyworks壓控晶振-595CD40M0000DGR-Si595有源振蕩器-6G無線晶振.
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