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IDT晶振,OSC晶振,8N3S272晶振

頻率:15.476MHz to 866.67MHz ,975MHz to 1,300MHz  尺寸:7.0*5.0mm  產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍
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1XQJXIDT-1

  IDT晶振,OSC晶振,8N3S272晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-ExpressSDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛。

  石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CTDT、GT、NT 2GGCSIDT-2

型號(hào)

8N3S272(LVPECL)

輸出頻率范圍

15.476MHz to 866.67MHz , 975MHz to 1,300MHz

電源電壓范圍

2.5 to 3.3V

電源電壓(Vcc

+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V

消耗電流

+1.5mA max.f26MHz/+2.0mA max.26f52MHz/+2.5mA max.f60MHz

待機(jī)時(shí)電流

-請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com

輸出電壓

0.8Vp-p min.f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled

輸出負(fù)載

10kΩ//10pF

頻率穩(wěn)定度

常溫偏差

±1.5×10-6 max.After 2 reflows

溫度特性

±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40
?+85Option

電源電壓特性

±0.2×10-6 max.VCC ±5%

負(fù)載變化特性

±0.2×10-6 max.10kΩ//10pF±10%

長(zhǎng)期變化

±1.0×10-6 max./year

頻率控制

控制靈敏度

±3.0×10-6?±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC+2.6V
±3.0×10-6
?±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V

頻率控制極性

正極性

3CCIDT-3

8N3S272 7050 LVPECL4ZYSXIDT-4

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)

1:抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。

2:輻射

貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。

3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。

4:粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)

5:鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。

6:靜電

過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作,IDT晶振,OSC晶振,8N3S272晶振5HBFZ
IDT-5

  IDT 晶振集團(tuán)運(yùn)用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進(jìn)行環(huán)境管理,盡最大可能減小業(yè)務(wù)活動(dòng)對(duì)環(huán)境造成的負(fù)擔(dān),并通過(guò)業(yè)務(wù)發(fā)展推進(jìn)環(huán)境改善.

IDT 晶振集團(tuán)環(huán)保基本理念:

1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國(guó)內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).

2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.

3.有效利用資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.

4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于減少石英晶體振蕩器,有源晶振,石英晶振,貼片晶振廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).

5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).

6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.6LXFSIDT-6

聯(lián)系人:李玉龍

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差分晶振產(chǎn)品非常適合用于測(cè)量設(shè)備,交換機(jī),通訊產(chǎn)品,6G通訊設(shè)備,藍(lán)牙模塊,可視化智能家居,物聯(lián)網(wǎng),航空電子等領(lǐng)域。X1G0042910026,6G路由器晶振,SG7050EAN振蕩器,愛普生差分晶振.


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