IDT晶振,LVDS晶振,8N4DV85晶振
IDT晶振,LVDS晶振,8N4DV85晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發(fā)及生產高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內
型號 |
8N4DV85(VCXO) |
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輸出頻率范圍 |
15.476MHz to 866.67MHz , 975MHz to 1,300MHz |
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電源電壓范圍 |
2.5 to 3.3V |
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電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) |
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待機時電流 |
-請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
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輸出負載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
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負載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
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長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6?±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |


PCB設計指導
(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。
(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內容)。
(2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。IDT晶振,LVDS輸出晶振,8N4DV85晶振
IDT 晶振集團將建立可行的技術及經濟性環(huán)境目標,并確保其環(huán)境保護活動的質量.
集團公司將關注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標準.
IDT 晶振集團將在各領域內的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.
IDT晶振集團盡可能的采用無害的石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產技術,避免有害物質的產生,比如消耗臭氧層物質、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質的收集和回收,最小化有害原料的使用.
聯(lián)系人:李玉龍
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