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IDT晶振,LVDS晶振,8N4DV85晶振

頻率:15.476MHz to 866.67MHz ,975MHz to 1,300MHz  尺寸:7.0*5.0mm  差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術的石英晶體振蕩器,
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1XQJXIDT-1

   IDT晶振,LVDS晶振,8N4DV85晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的

  石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發(fā)及生產高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內2GGCSIDT-2

型號

8N4DV85(VCXO)

輸出頻率范圍

15.476MHz to 866.67MHz , 975MHz to 1,300MHz

電源電壓范圍

2.5 to 3.3V

電源電壓(Vcc

+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V

消耗電流

+1.5mA max.f26MHz/+2.0mA max.26f52MHz/+2.5mA max.f60MHz

待機時電流

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輸出電壓

0.8Vp-p min.f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled

輸出負載

10kΩ//10pF

頻率穩(wěn)定度

常溫偏差

±1.5×10-6 max.After 2 reflows

溫度特性

±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40
?+85Option

電源電壓特性

±0.2×10-6 max.VCC ±5%

負載變化特性

±0.2×10-6 max.10kΩ//10pF±10%

長期變化

±1.0×10-6 max./year

頻率控制

控制靈敏度

±3.0×10-6?±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC+2.6V
±3.0×10-6
?±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V

頻率控制極性

正極性

3CCIDT-3

8N4DV85 7050 VCXO LVDS4ZYSXIDT-4

PCB設計指導

(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。

(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。

(3) 在使用焊料助焊劑時,JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。

(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。

存儲事項

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C +35°C,濕度 25 % RH 85 % RH(請參閱測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件章節(jié)內容)。

(2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。IDT晶振,LVDS輸出晶振,8N4DV85晶振5HBFZIDT-5

  IDT 晶振集團將建立可行的技術及經濟性環(huán)境目標,并確保其環(huán)境保護活動的質量.

集團公司將關注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標準.

  IDT 晶振集團將在各領域內的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.

  IDT晶振集團盡可能的采用無害的石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產技術,避免有害物質的產生,比如消耗臭氧層物質、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質的收集和回收,最小化有害原料的使用.6LXFSIDT-6

聯(lián)系人:李玉龍

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