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TXC晶振,壓控晶振,BR晶振,進(jìn)口石英晶振

頻率:50~200MHZ 尺寸:7.0*5.0*1.3mm

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27839151

SMD石英壓控晶體,7050兆赫茲晶振,BR晶振

TXC晶振,壓控晶振,BR晶振,進(jìn)口石英晶振,臺灣晶技TXC晶振為一專業(yè)之頻率組件與感測組件供貨商，自1983年成立以來，始終致力于石英晶體相關(guān)諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)與銷售，并因應(yīng)市場應(yīng)用與需求，透過自主核心技術(shù)，成功開發(fā)出各式感測組件(Sensor)，產(chǎn)品可廣泛使用于行動通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲存設(shè)備、車用、電信、醫(yī)療…等市場。
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù)：是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題，為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式，通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理，有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動不穩(wěn)定。SMD石英壓控晶體,7050兆赫茲晶振,BR晶振

型號	符號	BR晶振
輸出規(guī)格	-	cmos
輸出頻率范圍	fo	50~200MHz
電源電壓	VCC	3.3V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±0.5×10-6 max., ±2.0×10-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-55~+125℃
運(yùn)行溫度范圍	T_use	-10~+70℃ ,-40~+85℃
消耗電流	ICC	60mA max. (fo≦170MHz)
待機(jī)時電流（＃1引腳"L"）	I_std	2.0μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	15PF
波形對稱	SYM	45~55% [at outputs cross point]
0電平電壓	VOL	VCC-1.81~VCC-1.62V
1電平電壓	VOH	VCC-1.025~VCC-0.88V
上升時間下降時間	tr, tf	10ms max. [20~80% Output, OutputN]
差分輸出電壓	VOD1, VOD2	-
差分輸出誤差	⊿VOD	-
補(bǔ)償電壓	VOS	-
補(bǔ)償電壓誤差	⊿VOS	-
交叉點(diǎn)電壓	Vcr	-
OE端子0電平輸入電壓	VIL	VCC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	VIH	VCC×0.7 min.
輸出禁用時間	tPLZ	200ns
輸出使能時間	tPZL	10ms
周期抖動（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)]
相位抖動	tpj	1ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz~5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz]

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進(jìn)口OSC石英晶振,VCXO5032六腳振蕩器,CJ晶振

一般來說，石英晶體振蕩器微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。（請參閱芯片組的規(guī)格）Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。TXC晶振,壓控晶振,BR晶振,進(jìn)口石英晶振
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是進(jìn)口SMD晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：

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線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。（3）振蕩期間測量R的值。（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。如果石英進(jìn)口晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。采用具有較低電阻（RR）的晶振。使用光盤和CG的不等價的設(shè)計。我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。SMD石英壓控晶體,7050兆赫茲晶振,BR晶振

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臺灣TXC晶振本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使7050六腳VCXO晶振環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時也能達(dá)到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則。TXC晶振,壓控晶振,BR晶振,進(jìn)口石英晶振
臺灣TXC晶振勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國及企業(yè)關(guān)注焦如何做到‘降低職業(yè)災(zāi)害發(fā)生、確保工作場所安全、實施員工健康管理’一直是TXC晶體努力的方向,進(jìn)口7050四腳晶體2008年12月通過OHSAS18001職業(yè)安全衛(wèi)生管理系統(tǒng)驗證,提供勞工符合系統(tǒng)要求的安全衛(wèi)生工作環(huán)境.TXC晶振公司遵守所有適用的有關(guān)環(huán)境、健康和安全的法律和法規(guī)以及公司自己的有關(guān)環(huán)境、工業(yè)衛(wèi)生和安全的方針和承諾。
TXC晶技晶振集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少7050mm壓控晶體振蕩器廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時,努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意. 所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.SMD石英壓控晶體,7050兆赫茲晶振,BR晶振

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SMD石英壓控晶體 7050兆赫茲晶振 BR晶振

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