微晶晶振,微晶石英晶振,CC1A-T1A晶振
微晶晶振,石英晶振,CC1A-T1A晶振,貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
微晶晶振規(guī)格 |
單位 |
微晶貼片晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12.00MHZ~54.0MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
微晶晶振按照IS014001標(biāo)準(zhǔn)的要求,建立環(huán)境管理體系,并在環(huán)境目標(biāo)和方案設(shè)定之后追求持續(xù)的環(huán)境改善。
微晶環(huán)?;纠砟睿?/span>
1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境。遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī)。
2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性。
3.有效利用石英晶體,貼片晶振材料資源和能源,認(rèn)識到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行石英晶振,有源晶體振蕩器,水晶振蕩子等原材料的有效利用。
4為構(gòu)建循環(huán)型社會做出貢獻(xiàn),致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會。
5.推進(jìn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn)。
6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染。
聯(lián)系人:李玉龍
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