微晶晶振,微晶石英晶振,CC2A-T1AH晶振
微晶晶振,微晶石英晶振,CC2A-T1AH晶振,該產(chǎn)品是一款封裝為5032mm的小型貼片晶振.石英晶振水晶振動子高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
微晶晶振規(guī)格 |
單位 |
微晶貼片晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
10.00MHZ~70.0MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時注意事項
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。微晶晶振,微晶石英晶振,CC2A-T1AH晶振
(1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
晶振產(chǎn)品類型 |
晶振焊接條件 |
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下 |
手工焊接+300°C或低于3秒鐘 |
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達260°,有些只可達230° |
+260°C或低于@最大值 10 s |
瑞士微晶石英晶振減少污染物排放,對不可再生的資源進行有效利用。減少廢物的產(chǎn)生,對其排放的責任進行有效管理,有效地使用能源。通過設(shè)計工藝程序?qū)T工進行培訓保護環(huán)境以及人們的健康和安全。提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運營現(xiàn)狀進行糾正。
1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護地球環(huán)境。遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī)。
2.保護自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護,維持和保全生物多樣性。
3.有效利用石英晶體,貼片晶振材料資源和能源,認識到資源和能源的有限性,努力進行石英晶振,有源晶體振蕩器,水晶振蕩子等原材料的有效利用。
4為構(gòu)建循環(huán)型社會做出貢獻,致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會。
5.推進晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實力,推進環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負荷做出貢獻。
6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標,定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染。
聯(lián)系人:李玉龍
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