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西鐵城晶振,石英晶振水晶振動(dòng)子,CM309S晶振

尺寸:12.4*4.4mm 頻率:3.500MHZ~70.000MHZ 貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購(gòu)熱線：0755-27839151

產(chǎn)品相關(guān)資料

CT-1 西鐵城晶振,石英晶振水晶振動(dòng)子,CM309S晶振,西鐵城晶振公司為工業(yè)市場(chǎng)提供高性能和精密設(shè)備,不斷開(kāi)發(fā)新技術(shù)和新技術(shù)在我們的制造業(yè)和工程.我們有一個(gè)良好的信譽(yù)在市場(chǎng)上特別是對(duì)我們的晶振,日本株式會(huì)社西鐵城晶振品牌【CITIZEN】，該品牌創(chuàng)立時(shí)間在1918年，早期主要研發(fā)與生產(chǎn)時(shí)計(jì)產(chǎn)品.
1976年水晶振動(dòng)子，晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器的生產(chǎn)開(kāi)始,1978年通過(guò)陶瓷材料的手表用軸承石的生產(chǎn)開(kāi)始,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等高精密零件使用我們自己的核心技術(shù)和脆性材料和微顯示高清圖片是必需的.CM309S晶振,27M進(jìn)口無(wú)源晶體,陶瓷面貼片晶振

CT-2

西鐵城晶振規(guī)格	單位	MHZ貼片晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	3.5.000MHZ~70.000MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±30 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.ljbzc.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	16PF,18PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

CT-3

CM309S

CT-4

一般來(lái)說(shuō),微處理器的石英振蕩器電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ~1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.西鐵城晶振,石英晶振水晶振動(dòng)子,CM309S晶振
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ.這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說(shuō)明：

fudianzu
線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測(cè)量R的值.
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測(cè)定值.
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況：
降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他進(jìn)口晶振具有較低負(fù)載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤(pán)和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動(dòng)后端電路.CM309S晶振,27M進(jìn)口無(wú)源晶體,陶瓷面貼片晶振
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我公司無(wú)源晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問(wèn)題不能得到解決.系統(tǒng)無(wú)法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒(méi)有足夠的輸出波形振幅.

CT-5 西鐵城晶振公司自覺(jué)遵守有關(guān)貼片晶振法律、法規(guī)，培養(yǎng)員工的環(huán)保意識(shí)和能力，持續(xù)改進(jìn)環(huán)保績(jī)效，優(yōu)先使用環(huán)保型材料、設(shè)備及施工工藝，做到污染預(yù)防，最終創(chuàng)建具有環(huán)保、節(jié)能、適宜性特征的優(yōu)質(zhì)工程。
1.努力保護(hù)全球環(huán)境的環(huán)保意識(shí)進(jìn)行環(huán)保生產(chǎn)和提供石英晶體諧振器以及服務(wù)給消費(fèi)者.CM309S晶振,27M進(jìn)口無(wú)源晶體,陶瓷面貼片晶振
2.遵守環(huán)境法律、法規(guī)、條例、規(guī)則、協(xié)議、和其他需求,努力降低環(huán)境影響,防止污染.
3.減少能源消耗,開(kāi)展資源節(jié)約、資源回收和適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)管理工廠和辦公室,導(dǎo)致全球變暖的預(yù)防和循環(huán)型社會(huì)的建立.
4.與供應(yīng)商和其他業(yè)務(wù)伙伴合作,減少溫室氣體的排放,有效利用資源,加強(qiáng)產(chǎn)品化學(xué)物質(zhì)管理.
西鐵城晶振工廠、辦公室節(jié)能、省資源、資源循環(huán)、化學(xué)物質(zhì)的合理管理推動(dòng)，地球溫暖化防止及循環(huán)型社會(huì)的實(shí)現(xiàn)貢獻(xiàn)。與采購(gòu)單位、供應(yīng)商等的客戶(hù)合作，溫室效應(yīng)氣體削減，資源的有效利用，努力對(duì)晶振,石英晶振的化學(xué)物質(zhì)的管理強(qiáng)化等。西鐵城晶振,石英晶振水晶振動(dòng)子,CM309S晶振

CT-6

聯(lián)系人：李玉龍

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CM309S晶振 27M進(jìn)口無(wú)源晶體陶瓷面貼片晶振

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