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微晶晶振, 石英晶振,CM8V-T1A晶振

尺寸:2.0*1.2*0.3mm 頻率:32.768KHZ 微晶貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性.
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WJ 1微晶晶振, 石英晶振,CM8V-T1A晶振,微晶在瑞士、泰國(guó)建有石英晶振,晶體振蕩器生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處.我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001ISO14001的認(rèn)證,并達(dá)到RoHS,REACh等規(guī)范的要求.微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊、晶振和OCXO晶體振蕩器,有源晶振等多個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)供貨商,為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的全方位支持 :ISO14001的認(rèn)證,并達(dá)到RoHS,REACh等規(guī)范的要求.
對(duì)員工進(jìn)行環(huán)境保護(hù)知識(shí)培訓(xùn),提高其環(huán)境意識(shí),建立環(huán)境職責(zé),自覺改進(jìn)、預(yù)防對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響.在對(duì)石英晶振,貼片晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)壓電石英晶體元器件的全過程中努力節(jié)能降耗,實(shí)現(xiàn)資源消耗最小化.

WJ 2

微晶晶振規(guī)格

單位

微晶晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.ljbzc.com

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

7pF

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

微晶晶振尺寸

CM8V-T1A 0.3 2012

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微晶晶振機(jī)械振動(dòng)的影響

  當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管進(jìn)口晶振設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

微晶晶振PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)

(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.

(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝.

(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用.

(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料.

微晶晶振存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些微晶32.768K產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏.
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C +35°C,濕度 25 % RH 85 % RH(請(qǐng)參閱測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件章節(jié)內(nèi)容).

(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.

WJ 5

瑞士微晶為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).

推進(jìn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).

建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.

微晶按照IS014001標(biāo)準(zhǔn)的要求,建立環(huán)境管理體系,并在環(huán)境目標(biāo)和方案設(shè)定之后追求持續(xù)的環(huán)境改善.

微晶建立和遵守其嚴(yán)格的基于活動(dòng)所在地法律法規(guī)的環(huán)境、安全和健康標(biāo)準(zhǔn).將不斷地?cái)U(kuò)展循環(huán)利用、能源和廢棄物管理項(xiàng)目.

WJ 6

聯(lián)系人:李玉龍

電話:86-0755-27839151

手機(jī):13828756848

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