西鐵城晶振,石英晶體諧振器,CS325H晶振
西鐵城晶振,石英晶體諧振器,CS325H晶振,西鐵城晶振創(chuàng)立于1959年7月28日,當時注冊資金高達17億多,所做產(chǎn)品涉及領(lǐng)域較廣,西鐵城晶振公司為工業(yè)市場提供高性能和精密設(shè)備,不斷開發(fā)新技術(shù)和新技術(shù)在我們的制造業(yè)和工程.
1987年光通信用的零部件-菲規(guī)則的生產(chǎn)開始,1989年光通信用零部件-成套筒的生產(chǎn)開始,1990年在香港務(wù)冠實業(yè)有限公司設(shè)立,西鐵城晶振試圖滿足你在電子設(shè)備領(lǐng)域中成為龍頭企業(yè)。高精度石英晶振,進口3225貼片晶振,CS325H晶振
西鐵城晶振規(guī)格 |
單位 |
CS325H石英晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
13.000MHZ~54.000MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
16PF,18PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±1 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.高精度石英晶振,進口3225貼片晶振,CS325H晶振
輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.西鐵城晶振,石英晶體諧振器,CS325H晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞進口晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
這個環(huán)境方針是根據(jù)文件等的全體職員以及共同工作的人們。按照這個環(huán)境方針,設(shè)定環(huán)境目的和目標,確實是落實,對其進行重新評估,努力持續(xù)改善。西鐵城晶振,石英晶體諧振器,CS325H晶振
努力保護全球環(huán)境的環(huán)保意識進行環(huán)保3225晶振生產(chǎn)和提供產(chǎn)品以及服務(wù)給消費者.
西鐵城石英晶振,作為全球企業(yè)可持續(xù)的社會的實現(xiàn),集團一體推進地球環(huán)境保全活動。推進了環(huán)境考慮的產(chǎn)品和服務(wù)的產(chǎn)品和服務(wù)。
與采購單位、供應(yīng)商等的客戶合作,溫室效應(yīng)氣體削減,資源的有效利用,努力對CS325H無源晶體,石英晶振的化學物質(zhì)的管理強化等。
嚴格遵守國家職業(yè)安全健康法律、法規(guī),培養(yǎng)員工的安全意識和能力,持續(xù)改進職業(yè)安全健康管理績效,預(yù)先采取安全措施,消除或降低危險,優(yōu)先選用安全系數(shù)高的材料、設(shè)備及工藝,提高事故預(yù)防水平,創(chuàng)造良好的工作環(huán)境,保障員工的身心健康。高精度石英晶振,進口3225貼片晶振,CS325H晶振
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