希華晶振,石英晶振,CSX-5032晶振,CTSX-5032晶體,SX-5032晶振
希華晶振,石英晶振,CSX-5032晶振,CTSX-5032晶體,SX-5032晶振,從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品,透過最佳團隊組合及先進之生產(chǎn)技術,建立完整的產(chǎn)品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶振、石英晶體振蕩器、石英晶體濾波器、溫補晶振及電壓控制型產(chǎn)品等,以健全的供應煉系統(tǒng),為客戶提供全方位的服務。
在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。5032mm貼片石英晶體,9.8M小體積石英水晶振動子,CSX-5032晶振
希華晶振規(guī)格 |
單位 |
CSX-5032晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
9.800MHZ~40.000MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +125°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±15 × 10-6/-40°C ~ +85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
10PF,12PF,16PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
希華晶振規(guī)格 |
單位 |
CTSX-5032晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
9.800MHZ~40.000MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +125°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±15× 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
10PF,12PF,16PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
希華晶振規(guī)格 |
單位 |
SX-5032晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
8.000MHZ~54.000MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
10PF,12PF,16PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.希華晶振,石英晶振,CSX-5032晶振,CTSX-5032晶體
輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.5032mm貼片石英晶體,9.8M小體積石英水晶振動子,CSX-5032晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
環(huán)境行為評價:評價我們運行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認支撐著本方針的成績。我們將向我們的員工提供信息,以及能夠將方針與各自工作職責完全結合的培訓。5032mm貼片石英晶體,9.8M小體積石英水晶振動子,CSX-5032晶振
希華晶振科技股份有限公司藉由5032晶振生產(chǎn)環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行,以整合內部資源,奠定經(jīng)營管理的基礎。藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內部稽核為手段,合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實施。
環(huán)境管理體系:希華晶振公司在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具。我們將確保適當?shù)娜肆Y源和充分的財力保障。每年我們都將建立CSX-5032晶振可測量的環(huán)境管理以及行為改進的目標和指標。
希華晶振科技本于‘善盡企業(yè)責任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,希華晶體不僅符合國內環(huán)保、勞安法令要求,同時也能達到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標準。希華晶振,石英晶振,CSX-5032晶振,CTSX-5032晶體
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SMD晶振產(chǎn)品超級適合用于高密度應用,調制解調器、通信和測試設備,PMCIA,無線應用,汽車應用,小型設備,消費電子等領域。QC7A25.0000F12B22R,康泰克移動通信晶振,QC7A石英諧振器.
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