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CTS晶振,有源晶振,VF561E晶振

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.


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            CTS晶振,有源晶振,VF561E晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

       超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻差分晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問(wèn)題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過(guò)結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類(lèi)及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而KDS晶振晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定。

型號(hào)

參數(shù)

輸出頻率范圍

19-300MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz

電源電壓范圍

+2.5v~+5.0V

電源電壓(Vcc

+2.5V/+3.3V/+5.0V

消耗電流

+1.5mA max.f26MHz/+2.0mA max.26f52MHz

待機(jī)時(shí)電流

-

輸出電壓

0.8Vp-p min.f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled

輸出負(fù)載

10kΩ//10pF

頻率穩(wěn)定度

常溫偏差

±1.5×10-6 max.After 2 reflows

溫度特性

±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-40
?+85Option

電源電壓特性

±0.2×10-6 max.VCC ±5%

負(fù)載變化特性

±0.2×10-6 max.10kΩ//10pF±10%

長(zhǎng)期變化

±1.0×10-6 max./year

頻率控制

控制靈敏度

-

頻率控制極性

-

啟動(dòng)時(shí)間

2.0ms max.

VF561 9-14 OSC

一般來(lái)說(shuō),微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:

鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組。 (請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格)

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr。

例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。

線(xiàn)路連接的有源晶振電阻(R)與晶體串聯(lián)

(2)從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。

(3)振蕩期間測(cè)量R的值。

(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力

CTS晶振,有源晶振,VF561E晶振

CTS晶振集團(tuán)運(yùn)用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進(jìn)行環(huán)境管理,盡最大可能減小業(yè)務(wù)活動(dòng)對(duì)環(huán)境造成的負(fù)擔(dān),并通過(guò)業(yè)務(wù)發(fā)展推進(jìn)環(huán)境改善,GPS導(dǎo)航晶振系統(tǒng)進(jìn)行環(huán)境管理。
CTS晶振集團(tuán)為確保安全、提高保護(hù)預(yù)防措施、壓控晶振的可靠性以及職業(yè)安全, 進(jìn)口晶振通過(guò)正式的管理評(píng)審和對(duì)健康、安全和環(huán)境實(shí)施效果的持續(xù)改進(jìn),保護(hù)人群及財(cái)產(chǎn)與環(huán)境。我們的全球足跡使我們能夠?yàn)槿蚴袌?chǎng)和大公司服務(wù),并與本地市場(chǎng)中的中小企業(yè)合作,從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)智能和無(wú)縫的世界。

CTS晶振集團(tuán)建立一種可測(cè)量的發(fā)展和改進(jìn)的目標(biāo)指標(biāo),定期進(jìn)行內(nèi)審和管理評(píng)審。四腳有源貼片晶振或新生的各種活動(dòng)中不斷監(jiān)測(cè)和改進(jìn)環(huán)境績(jī)效。我們將定期對(duì)雇員進(jìn)行教育和培訓(xùn),確保他們能夠安全高效的工作,樹(shù)立他們的環(huán)保責(zé)任感。 與雇員、客戶(hù)、公眾、政府及關(guān)注公司環(huán)境績(jī)效和持續(xù)改進(jìn)計(jì)劃的相關(guān)方進(jìn)行充分開(kāi)放的信息交流。

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進(jìn)口晶振
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有源晶振
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